| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·功率器件的分类介绍 | 第11-16页 |
| ·IGBT 的发展历程及趋势 | 第16-23页 |
| ·IGBT 的市场前景与选题意义 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第二章 IGBT 的器件原理简介 | 第26-34页 |
| ·IGBT 的工作机制 | 第26-27页 |
| ·IGBT 的静态特性 | 第27-28页 |
| ·IGBT 的动态特性 | 第28-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 3300V 非穿通型 IGBT（NPT-IGBT）的工艺设计及实现 | 第34-47页 |
| ·衬底材料的选择 | 第34-37页 |
| ·工艺的选取 | 第37-39页 |
| ·结终端的设计 | 第39-43页 |
| ·IGBT 芯片的耐压实现及流片验证 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 NPT-IGBT 的动态特性研究与相关参数优化 | 第47-64页 |
| ·正面 MOS 结构参数研究与优化 | 第47-55页 |
| ·P 型体区掺杂浓度 | 第48-52页 |
| ·JFET 区掺杂浓度 | 第52-54页 |
| ·栅极长度 | 第54-55页 |
| ·背面 PNP 晶体管结构参数研究与优化 | 第55-62页 |
| ·P 型集电区掺杂浓度 | 第56-58页 |
| ·漂移区长度 LDrift | 第58-61页 |
| ·漂移区少子寿命 | 第61-62页 |
| ·导通压降与关断损耗的折衷关系设计 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-66页 |
| ·主要工作总结 | 第64页 |
| ·下一步工作目标及计划 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 在学期间取得的与学位论文相关的研究成果 | 第72-73页 |