| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-13页 |
| ·状态评估的国内外研究现状 | 第13-17页 |
| ·国内研究现状 | 第13-14页 |
| ·国外研究现状 | 第14-17页 |
| ·本文研究内容 | 第17-19页 |
| 2 IGBT 模块的老化失效与状态评估的关系及结温的影响 | 第19-28页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·IGBT 模块的老化失效机理 | 第19-23页 |
| ·与模块封装有关的失效 | 第19-21页 |
| ·与芯片有关的失效 | 第21-22页 |
| ·IGBT 模块的老化失效与状态评估的关系 | 第22-23页 |
| ·结温对 IGBT 模块老化失效和状态评估的影响 | 第23页 |
| ·结温对 IGBT 模块老化失效的影响 | 第23页 |
| ·结温对 IGBT 模块状态评估的意义 | 第23页 |
| ·结温测量方法分类 | 第23-27页 |
| ·物理接触法 | 第23-24页 |
| ·光学法 | 第24页 |
| ·温敏参数法(TSP 法) | 第24-26页 |
| ·热网络法 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3 IGBT 模块的结温测量 | 第28-40页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·结温 T_j的在线测量 | 第28-35页 |
| ·V_(cesat)与 T_j相关性的理论分析 | 第28-29页 |
| ·Saber 仿真验证 | 第29-31页 |
| ·结温与饱和压降校准曲面的获取 | 第31-35页 |
| ·实验结果及分析 | 第35-37页 |
| ·对以往结温测量方法的验证 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 4 加速 IGBT 模块状态变化的老化实验平台设计 | 第40-50页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·加速老化基本理论 | 第40-43页 |
| ·△T_j功率循环加速老化方法 | 第41-42页 |
| ·△T_c功率循环加速老化方法 | 第42-43页 |
| ·加速老化实验平台设计 | 第43-48页 |
| ·加速老化过程中结温的测量 | 第44-47页 |
| ·通电时间 t_(on)和断电时间 t_(off)的确定方法 | 第47页 |
| ·IGBT 模块失效准则 | 第47页 |
| ·采用强制冷热水循环对功率循环方法进行改进 | 第47-48页 |
| ·加速老化实验的步骤 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 5 IGBT 模块的老化状态评估 | 第50-60页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·以往评估方法的不足 | 第50-51页 |
| ·剪键合线模拟 IGBT 模块状态发生变化 | 第51-57页 |
| ·第一次剪线 | 第53-54页 |
| ·第二次剪线 | 第54-55页 |
| ·第三次剪线 | 第55-57页 |
| ·实验结果分析 | 第57-58页 |
| ·三次剪线结果与未剪线结果的对比分析 | 第57-58页 |
| ·结温和电流对状态评估的影响分析 | 第58页 |
| ·老化状态评估方法总结 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 6 结论与后续工作展望 | 第60-62页 |
| ·论文主要结论 | 第60页 |
| ·后续工作展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 附录 | 第68页 |
| A 作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第68页 |
| B 作者在攻读学位期间参与的科研项目 | 第68页 |
