一种IGBT模块失效机理分析
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·选题的意义与背景 | 第10页 |
| ·IGBT 失效分析的研究现状 | 第10-12页 |
| ·IGBT 的发展概况 | 第12-15页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 IGBT 的基础理论 | 第17-26页 |
| ·IGBT 的基本结构与工作原理 | 第17-19页 |
| ·导通： | 第18页 |
| ·关断： | 第18-19页 |
| ·正向阻断： | 第19页 |
| ·反向阻断： | 第19页 |
| ·IGBT 的工作特性 | 第19-26页 |
| ·静态特性 | 第20-23页 |
| ·动态特性 | 第23-24页 |
| ·高温特性 | 第24-26页 |
| 第三章 IGBT 失效的基本理论 | 第26-31页 |
| ·失效因素 | 第26-29页 |
| ·内部固有缺陷因素 | 第26-27页 |
| ·各类应力因素 | 第27-28页 |
| ·电路结构因素 | 第28-29页 |
| ·失效模式 | 第29-31页 |
| ·热应力失效 | 第29-30页 |
| ·过电应力失效 | 第30页 |
| ·漏电流失效 | 第30页 |
| ·材料固有缺陷引起失效 | 第30-31页 |
| 第四章 IGBT 过电压失效仿真分析 | 第31-53页 |
| ·Silvaco TCAD 软件的介绍 | 第31-34页 |
| ·DeckBuild | 第32页 |
| ·TonyPlot 可视化工具 | 第32-33页 |
| ·ATHENA | 第33页 |
| ·ATLAS | 第33-34页 |
| ·仿真模型与仿真电路的建立 | 第34-37页 |
| ·仿真模型的建立和参数的选取 | 第34-36页 |
| ·仿真电路图的设计 | 第36-37页 |
| ·PT-IGBT 静态击穿仿真结果分析 | 第37-42页 |
| ·静态击穿理论 | 第37-38页 |
| ·静态击穿仿真结果分析 | 第38-42页 |
| ·PT-IGBT 动态雪崩击穿仿真结果分析 | 第42-53页 |
| ·动态击穿理论 | 第42-46页 |
| ·动态雪崩击穿仿真结果分析 | 第46-53页 |
| 第五章 失效机理分析 | 第53-58页 |
| ·IGBT 器件模块的功耗 | 第53-55页 |
| ·开关功耗 | 第53-54页 |
| ·通态功耗 | 第54-55页 |
| ·结温的计算 | 第55-58页 |
| 第六章 抑制 IGBT 器件过电压失效的措施 | 第58-63页 |
| ·一种新型 IGBT 结构 | 第58-60页 |
| ·改变栅极驱动电阻 | 第60-61页 |
| ·适当提高器件使用的环境温度 | 第61-63页 |
| 第七章 总结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 在学研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
