| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| ·课题背景 | 第12-13页 |
| ·InGaP/GaAs HBT研究现状与应用 | 第13-14页 |
| ·论文工作及内容安排 | 第14-16页 |
| 第二章 InGaP/GaAs HBT器件物理 | 第16-23页 |
| ·InGaP/GaAs材料特性 | 第16-19页 |
| ·In_xGa_(1-x)P材料特性 | 第16-17页 |
| ·GaAs材料特性 | 第17-19页 |
| ·InGaP/GaAs异质结 | 第19-23页 |
| ·突变反型异质结的能带结构和主要表达式 | 第19-20页 |
| ·突变反型异质结载流子运输模型 | 第20-23页 |
| 第三章 InGaP/GaAs HBT的热电特性 | 第23-41页 |
| ·热传导方程 | 第23-25页 |
| ·自热效应下的稳态结温分布 | 第25-27页 |
| ·热电耦合模型 | 第27-28页 |
| ·热特性参数 | 第28-33页 |
| ·集电极电流理想因子 | 第28-30页 |
| ·热电反馈系数 | 第30-31页 |
| ·热阻 | 第31-32页 |
| ·电流增益 | 第32-33页 |
| ·HBT电流增益崩塌 | 第33-41页 |
| ·基本特征 | 第33-34页 |
| ·热稳定性判定标准 | 第34-38页 |
| ·提高热稳定性的常见方法 | 第38-39页 |
| ·器件纵向结构对电流增益崩塌的影响 | 第39-41页 |
| 第四章 InGaP/GaAs HBT的物理模型 | 第41-51页 |
| ·基本方程 | 第41页 |
| ·泊松方程 | 第41页 |
| ·载流子连续性方程 | 第41页 |
| ·迁移率模型 | 第41-43页 |
| ·常数迁移率模型 | 第42页 |
| ·掺杂作用迁移率模型 | 第42-43页 |
| ·高场饱和迁移率模型 | 第43页 |
| ·输运模型 | 第43-46页 |
| ·漂移扩散模型 | 第44页 |
| ·流体力学模型 | 第44-45页 |
| ·热力学模型 | 第45-46页 |
| ·复合模型 | 第46-49页 |
| ·SRH复合 | 第47页 |
| ·表面SRH复合 | 第47-48页 |
| ·俄歇复合 | 第48-49页 |
| ·基区禁带变窄模型 | 第49-51页 |
| 第五章 InGaP/GaAs HBT的器件模拟 | 第51-67页 |
| ·结构模拟 | 第51-56页 |
| ·InGaP/GaAs HBT器件结构 | 第51-53页 |
| ·结构模拟工具Sentaurus Structure Editor | 第53-54页 |
| ·结构模拟结果 | 第54-56页 |
| ·器件特性模拟 | 第56-67页 |
| ·器件特性模拟工具Sentaurus Device | 第56-57页 |
| ·模拟方案 | 第57-59页 |
| ·器件特性模拟结果 | 第59-67页 |
| 结束语 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第75-76页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第76页 |