| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·IGBT 的发展概况 | 第10-13页 |
| ·改进 IGBT 性能的新技术 | 第13-16页 |
| ·本文主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 PLANER IGBT 和 TRENCH-IGBT 的理论分析 | 第18-28页 |
| ·Planer IGBT 的理论分析 | 第18-26页 |
| ·IGBT 的结构与工作原理 | 第18-19页 |
| ·IGBT 的正向导通特性 | 第19-22页 |
| ·IGBT 的闩锁效应 | 第22-24页 |
| ·IGBT 的关断特性 | 第24-26页 |
| ·Trench IGBT 的理论分析 | 第26-27页 |
| ·Trench IGBT 的结构与工作原理 | 第26-27页 |
| ·Trench IGBT 的闩锁特性 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 HBIGBT 的原理及仿真分析 | 第28-49页 |
| ·CSTBT 的原理及仿真分析 | 第28-31页 |
| ·CSTBT 的结构及原理分析 | 第28-30页 |
| ·CSTBT 的仿真分析 | 第30-31页 |
| ·HBIGBT 的原理及仿真分析 | 第31-47页 |
| ·HBIGBT 的结构与原理分析 | 第32-33页 |
| ·HBIGBT 的仿真分析 | 第33-39页 |
| ·HBIGBT 的正面改进结构 | 第39-42页 |
| ·HBIGBT 的内部改进结构 | 第42-45页 |
| ·HBIGBT 的背面改进结构 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 1200VHBIGBT 的设计 | 第49-61页 |
| ·器件材料的选取 | 第49-50页 |
| ·HBIGBT 元胞工艺设计 | 第50-54页 |
| ·1200V HBIGBT 结终端的设计 | 第54-58页 |
| ·结终端的理论分析 | 第54-56页 |
| ·1200V HBIGBT 终端的设计 | 第56-58页 |
| ·HBIGBT 版图的设计 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| ·本文的主要工作 | 第61-62页 |
| ·下一步工作展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 硕士期间取得的研究成果 | 第66-67页 |