4H-SiC功率BJT的实验研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-6页
第一章 绪论	第6-12页
·SiC 材料特性及优势	第6-9页
·SiC BJT 的优势及研究现状	第9-10页
·本文主要工作	第10-12页
第二章 器件结构的设计	第12-24页
·器件结构的理论设计	第13-17页
·电流增益	第14-15页
·穿通电压和击穿电压	第15-16页
·比导通电阻	第16-17页
·理论器件结构参数仿真结果	第17-19页
·实际器件结构参数仿真结果	第19-22页
·本章小结	第22-24页
第三章 器件关键工艺研究	第24-36页
·碳化硅刻蚀工艺的研究	第24-31页
·ICP 刻蚀 SiC 机理及影响因素	第24-26页
·ICP 刻蚀 SiC 实验研究	第26-31页
·碳化硅 P 型欧姆接触工艺实验研究	第31-34页
·P 型欧姆接触实验方案及测试方法	第31-32页
·P 型欧姆接触实验研究	第32-34页
·本章小结	第34-36页
第四章 器件制作流程及相关测试	第36-50页
·器件版图的设计	第36-40页
·对准标记和测试图形的设计	第37-38页
·器件的设计	第38-40页
·器件工艺流程及实验研究	第40-48页
·器件工艺流程	第40-41页
·4H-SiC BJT 实验研究	第41-45页
·测试结果	第45-48页
·本章小结	第48-50页
第五章 总结与展望	第50-54页
致谢	第54-56页
参考文献	第56-59页