| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·芯片粘结及连接材料 | 第10-13页 |
| ·传统芯片连接材料及粘接方法 | 第10-11页 |
| ·纳米银焊膏 | 第11-13页 |
| ·功率电子器件封装结构 | 第13-16页 |
| ·单面冷却封装 | 第14-15页 |
| ·双面冷却封装 | 第15-16页 |
| ·本文工作及研究意义 | 第16-18页 |
| ·本文主要工作 | 第16-17页 |
| ·研究价值 | 第17-18页 |
| 第二章 新型双面连接封装形式的制备探索 | 第18-34页 |
| ·双面冷却功率电子封装形式 | 第18-27页 |
| ·组成材料及制备 | 第18-22页 |
| ·封装结构 | 第22页 |
| ·FEM 模拟 | 第22-27页 |
| ·实验仪器及设备 | 第27-33页 |
| ·DBC 基板电路激光雕刻及刻蚀系统（LPKF protolaser S） | 第27-28页 |
| ·高精度垂直蚀刻机（DCT Protoline EU） | 第28-29页 |
| ·等离子清洗机（Table-Top Plasma Cleaning System VSP-88L） | 第29页 |
| ·程序精密控温加热台 | 第29-30页 |
| ·手动热压机（CARVER） | 第30页 |
| ·多功能推拉力测试仪（Conder 150-3HF） | 第30-31页 |
| ·高低温循环实验机（BE-HL-80L8） | 第31-32页 |
| ·X 射线半导体检测系统（Y-Cougar SMT） | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 新型双面连接 IGBT 的制备工艺 | 第34-50页 |
| ·等离子清洗参数的确定 | 第34-38页 |
| ·等离子清洗原理及操作流程 | 第34-35页 |
| ·实验方案 | 第35-36页 |
| ·实验结果及参数确定 | 第36-38页 |
| ·纳米银焊膏烧结工艺的研究 | 第38-49页 |
| ·试验方案 | 第41-43页 |
| ·实验结果及讨论 | 第43-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 温度循环试验对双面连接 IGBT 的影响 | 第50-60页 |
| ·温度循环实验 | 第50-51页 |
| ·实验方法 | 第50页 |
| ·实验方案 | 第50-51页 |
| ·实验结果与讨论 | 第51-55页 |
| ·剪切实验结果及分析 | 第51-52页 |
| ·X 射线检测结果与分析 | 第52-54页 |
| ·SAM 扫描结果与分析 | 第54-55页 |
| ·有限元模拟温度循环实验 | 第55-59页 |
| ·载荷和条件 | 第55页 |
| ·模拟结果与分析 | 第55-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 添加银缓冲层的双面连接 IGBT 封装形式 | 第60-73页 |
| ·温度分布分析 | 第60-62页 |
| ·残余热应力分布有限元模拟 | 第62-63页 |
| ·实验研究 | 第63-68页 |
| ·材料及试样制备 | 第63-64页 |
| ·循环温度对添加缓冲层的双面连接 IGBT 封装形式的影响 | 第64-68页 |
| ·温度循环实验有限元模拟 | 第68-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 双面连接多芯片组件封装形式研究 | 第73-80页 |
| ·多芯片组件双面连接封装形式 | 第73-75页 |
| ·温度分布 | 第75-76页 |
| ·热应力分布 | 第76-79页 |
| ·芯片 von Mises 应力分布 | 第76-77页 |
| ·烧结银 von Mises 应力分布 | 第77-78页 |
| ·银管 von Mises 应力分布 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第七章 结论 | 第80-83页 |
| ·结论 | 第80-82页 |
| ·本文创新点 | 第82页 |
| ·存在问题及展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-91页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92页 |
