IGBT功耗优化的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第10-11页 |
| ·课题研究的背景 | 第10页 |
| ·课题研究的意义 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-12页 |
| ·国内研究现状 | 第11页 |
| ·国外研究现状 | 第11-12页 |
| ·课题研究主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 IGBT 简述 | 第14-22页 |
| ·IGBT 工作原理 | 第14-15页 |
| ·IGBT 工作原理 | 第14-15页 |
| ·IGBT 工作特性 | 第15-18页 |
| ·IGBT 静态特性 | 第16-17页 |
| ·IGBT 动态特性 | 第17-18页 |
| ·IGBT 基本结构 | 第18-21页 |
| ·穿通型 IGBT(PT-IGBT) | 第18-19页 |
| ·非穿通型 1GBT(NPT-1GBT) | 第19-21页 |
| ·IGBT 发展方向 | 第21-22页 |
| 第三章 仿真工具 Silvaco 概述 | 第22-27页 |
| ·半导体器件仿真的可行性 | 第22页 |
| ·仿真工具 Silvaco 简介 | 第22-24页 |
| ·仿真模型选取及参数设计 | 第24-27页 |
| ·仿真分析的模型及算法 | 第24-25页 |
| ·仿真器件结构参数的设计 | 第25-27页 |
| 第四章 IGBT 功耗分析 | 第27-47页 |
| ·IGBT 功耗分析理论 | 第27-28页 |
| ·IGBT 静态功耗分析及仿真 | 第28-37页 |
| ·IGBT 通态特性的理论分析 | 第28-29页 |
| ·IGBT 通态特性的仿真分析 | 第29-32页 |
| ·IGBT 通态压降影响因素分析 | 第32-37页 |
| ·IGBT 动态功耗分析及仿真 | 第37-47页 |
| ·IGBT 关断功耗的理论分析 | 第38-39页 |
| ·IGBT 关断功耗的仿真分析 | 第39-41页 |
| ·IGBT 关断功耗影响因素分析 | 第41-47页 |
| 第五章 IGBT 功耗折衷及优化 | 第47-52页 |
| ·IGBT 静态功耗与动态功耗折衷 | 第47-49页 |
| ·N+缓冲层掺杂浓度的折衷 | 第47-48页 |
| ·N 基区载流子寿命的折衷 | 第48-49页 |
| ·P+集电极掺杂浓度的折衷 | 第49页 |
| ·IGBT 功耗优化方案 | 第49-52页 |
| ·P+集电极的优化 | 第49-50页 |
| ·N+缓冲层及高阻 N 基区的优化 | 第50-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 附录 A IGBT 通态仿真程序 | 第55-57页 |
| 附录 B IGBT 关断仿真程序 | 第57-59页 |
| 在学研究成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
