| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-17页 |
| ·GaInP/GaAs HBT的发展历史及研究现状 | 第12-14页 |
| ·GaInP/GaAs HBT的研究背景及课题研究意义 | 第14-15页 |
| ·本文内容安排 | 第15-17页 |
| 第二章 GaInP/GaAs HBT的基本工作原理及性能 | 第17-23页 |
| ·GaInP/GaAs材料体系的基本特性 | 第17-18页 |
| ·晶格常数及晶格失配率 | 第17-18页 |
| ·禁带宽度 | 第18页 |
| ·GaInP/GaAs HBT的基本工作原理 | 第18-23页 |
| ·异质结特性及器件基本结构 | 第18-20页 |
| ·器件特性的基本性能参数 | 第20-23页 |
| 第三章 GaInP/GaAs HBT的器件物理建模及器件稳定性分析与设计 | 第23-39页 |
| ·GaInP/GaAs HBT的器件结构 | 第23-24页 |
| ·小信号模型的建立 | 第24-31页 |
| ·稳定性原理及分析 | 第31-36页 |
| ·稳定性原理 | 第31-33页 |
| ·稳定性设计方法改进 | 第33-35页 |
| ·其他重要器件性能参数的计算分析 | 第35-36页 |
| ·外延层的设计依据 | 第36-39页 |
| 第四章 TCAD仿真环境 | 第39-53页 |
| ·用于仿真的物理模型及分析 | 第39-45页 |
| ·载流子复合模型 | 第39-42页 |
| ·能带模型 | 第42-43页 |
| ·迁移率模型 | 第43-45页 |
| ·其他模型 | 第45页 |
| ·仿真模型参数的修正 | 第45-50页 |
| ·复合模型参数修正 | 第45-47页 |
| ·驰豫时间修正 | 第47-48页 |
| ·迁移率模型参数修正 | 第48-49页 |
| ·能带模型参数修正 | 第49-50页 |
| ·仿真工具 | 第50-53页 |
| 第五章 性能仿真及结果分析 | 第53-74页 |
| ·GaInP/GaAs HBT的直流特性 | 第54-55页 |
| ·与实验曲线的对比与分析 | 第54-55页 |
| ·GaInP/GaAs HBT的稳定特性仿真结果与分析 | 第55-69页 |
| ·各物理参数对稳定性的影响 | 第56-64页 |
| ·器件稳定性优化设计结果与分析 | 第64-69页 |
| ·GaInP/GaAs HBT的击穿特性 | 第69-74页 |
| ·集电极-基极击穿电压BV_(cbo) | 第69-70页 |
| ·集电极-发射极反向击穿电压BV_(cco) | 第70-72页 |
| ·发射极-基极反向击穿电压BV_(ebo) | 第72-74页 |
| 结束语 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第82-83页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第83页 |
