| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-15页 |
| ·功率开关半导体器件简介 | 第9-11页 |
| ·IGBT 器件的发展概况 | 第11-13页 |
| ·本课题的研究意义 | 第13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 IGBT 的基本理论 | 第15-30页 |
| ·Trench-FS IGBT 器件的结构 | 第15-16页 |
| ·IGBT 的静态特性 | 第16-23页 |
| ·正向阻断特性 | 第17-18页 |
| ·反向阻断特性 | 第18-19页 |
| ·正向导通特性 | 第19-22页 |
| ·Trench-FS IGBT 的电流饱和特性 | 第22-23页 |
| ·IGBT 的动态特性 | 第23-25页 |
| ·IGBT 的安全工作区 | 第25-29页 |
| ·Trench IGBT 器件的闩锁效应 | 第25-26页 |
| ·IGBT 器件的正向安全工作区 | 第26-28页 |
| ·IGBT 器件的反向安全工作区 | 第28页 |
| ·IGBT 器件的短路安全工作区 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 Trench FS IGBT 的设计 | 第30-48页 |
| ·工艺流程设计 | 第30-31页 |
| ·器件结构设计 | 第31-47页 |
| ·元胞结构设计 | 第32-43页 |
| ·IGBT 器件 MOS 结构的确定与优化 | 第32-38页 |
| ·IGBT 器件漂移区的设计与优化 | 第38-42页 |
| ·IGBT 集电极的优化设计 | 第42页 |
| ·元胞工艺参数的确定 | 第42-43页 |
| ·器件终端结构的设计 | 第43-47页 |
| ·终端结构与仿真结果 | 第43-45页 |
| ·终端设计理论 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 Trench-FS IGBT 器件流片测试与结果分析 | 第48-56页 |
| ·器件版图的设计 | 第48-50页 |
| ·有源区版图设计 | 第48-49页 |
| ·栅电极区的版图设计 | 第49页 |
| ·终端部分版图的设计 | 第49-50页 |
| ·流片结果测试与分析 | 第50-55页 |
| ·静态参数测试 | 第51-53页 |
| ·耐压测试 | 第51页 |
| ·阈值电压测试 | 第51-52页 |
| ·正向导通压降测试 | 第52-53页 |
| ·动态参数测试 | 第53-54页 |
| ·功率与温度测试 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 硕士研究生期间取得的成果 | 第60-61页 |