绝缘栅双极型晶体管串联电压均衡技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·IGBT 在高电压场合中的串联应用 | 第9-10页 |
| ·IGBT 串联电压均衡技术的研究现状 | 第10-14页 |
| ·静态电压均衡技术 | 第10-11页 |
| ·动态电压均衡技术 | 第11-14页 |
| ·论文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 2 IGBT 基本原理和特性 | 第16-28页 |
| ·IGBT 的基本结构和工作原理 | 第16-18页 |
| ·IGBT 的基本结构 | 第16-17页 |
| ·IGBT 的工作原理 | 第17-18页 |
| ·IGBT 的基本特性 | 第18-24页 |
| ·静态特性 | 第18-19页 |
| ·动态特性 | 第19-23页 |
| ·损耗特性 | 第23-24页 |
| ·IGBT 的驱动和保护 | 第24-26页 |
| ·IGBT 的驱动 | 第24-26页 |
| ·IGBT 的保护 | 第26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 3 IGBT 串联电压不均衡机理分析 | 第28-42页 |
| ·静态电压不均衡机理分析 | 第28页 |
| ·动态电压不均衡机理分析 | 第28-39页 |
| ·串联 IGBT 的最大电压不均衡度 | 第28-30页 |
| ·IGBT 自身参数不一致 | 第30-36页 |
| ·IGBT 外围电路参数不一致 | 第36-38页 |
| ·IGBT 对地分布电容 | 第38-39页 |
| ·IGBT 串联电压均衡原理 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 功率端电压均衡技术 | 第42-60页 |
| ·静态电压均衡电阻 | 第42-43页 |
| ·传统无源缓冲电路 | 第43-50页 |
| ·基本工作原理 | 第43-44页 |
| ·仿真分析 | 第44-47页 |
| ·实验验证 | 第47-50页 |
| ·集-射极电压斜率变化的馈能式电路 | 第50-58页 |
| ·基本工作原理 | 第50-53页 |
| ·仿真分析 | 第53-55页 |
| ·实验验证 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 5 栅极端电压均衡技术 | 第60-76页 |
| ·新型 RCD 有源均压电路 | 第60-65页 |
| ·基本工作原理 | 第60-61页 |
| ·仿真分析 | 第61-63页 |
| ·实验验证 | 第63-65页 |
| ·有源钳位均压电路 | 第65-69页 |
| ·基本工作原理 | 第65-66页 |
| ·仿真分析 | 第66-68页 |
| ·实验验证 | 第68-69页 |
| ·基于增强密勒效应的有源均压电路 | 第69-75页 |
| ·基本工作原理 | 第69-71页 |
| ·仿真分析 | 第71-73页 |
| ·实验验证 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 6 结论与展望 | 第76-78页 |
| ·结论 | 第76-77页 |
| ·展望 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 附录 | 第84页 |
| A. 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第84页 |
