| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·研究的目的和意义 | 第10页 |
| ·研究现状 | 第10-14页 |
| ·论文的组织结构 | 第14-15页 |
| 第二章 异质结双极型晶体管 HBT 器件概述 | 第15-20页 |
| ·HBT 的发展概况 | 第15页 |
| ·HBT 的工作机理 | 第15-20页 |
| ·BJT 的工作机理 | 第15-16页 |
| ·HBT 的工作机理 | 第16-17页 |
| ·各材料系 HBT 性能总结对比 | 第17-20页 |
| 第三章 HBT 器件模型 | 第20-40页 |
| ·HBT 常见模型概述 | 第20-23页 |
| ·EM 模型 | 第20-21页 |
| ·SGP 模型 | 第21-22页 |
| ·VBIC 模型 | 第22-23页 |
| ·HICUM 模型 | 第23-26页 |
| ·Aglient HBT 模型 | 第26-40页 |
| ·模型拓扑结构及其大小信号等效电路 | 第29-31页 |
| ·模型方程 | 第31-40页 |
| 第四章 器件在片测试和去嵌 | 第40-47页 |
| ·测试流程 | 第40-44页 |
| ·在片测试系统 | 第40-41页 |
| ·器件测试方案 | 第41-44页 |
| ·RF 测试及去嵌 | 第44-47页 |
| ·RF 测试 | 第44-45页 |
| ·RF 去嵌 | 第45-47页 |
| 第五章 SiGe HBT 物理基 HICUM scalable 模型 | 第47-62页 |
| ·HBT 物理模型 | 第47-54页 |
| ·发射区相关物理量 | 第48-49页 |
| ·基区相关物理量 | 第49-51页 |
| ·集电区相关物理量 | 第51-53页 |
| ·物理基 Scalable 模型的修正 | 第53-54页 |
| ·物理基 HBT Scalable 模型的立流程 | 第54-58页 |
| ·Scalable 模型在仿真工具中的应用 | 第58-59页 |
| ·Scalable 模型的结果验证 | 第59-62页 |
| 第六章 基于 InP HBT 的 Aglient HBT 模型参数提取 | 第62-72页 |
| ·测试结构寄生参量及外体区寄生电阻的提取 | 第62页 |
| ·耗尽电荷参数的提取 | 第62-63页 |
| ·电流参数的提取 | 第63-65页 |
| ·渡越时间参数的提取 | 第65页 |
| ·参数提取结果的验证 | 第65-72页 |
| ·DC 曲线的验证 | 第66-67页 |
| ·CV 曲线的验证 | 第67-69页 |
| ·S 参数的验证 | 第69-70页 |
| ·截止频率 Ft | 第70-72页 |
| 第七章 总结及展望 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 附录 | 第79-82页 |