| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-22页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·SiGe HBT技术发展过程 | 第15-16页 |
| ·SiGe HBT工作原理 | 第16-18页 |
| ·射频器件建模意义 | 第18页 |
| ·本文的主要工作 | 第18-19页 |
| ·本文的组织结构 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-22页 |
| 第二章 SiGe HBT建模综述 | 第22-36页 |
| ·SiGe HBT小信号模型概述 | 第22-24页 |
| ·SiGe HBT小信号模型拓扑结构 | 第22-23页 |
| ·SiGe HBT小信号模型提取方法 | 第23-24页 |
| ·SiGe HBT大信号模型概述 | 第24-28页 |
| ·比例积分控制关系模型 | 第24-25页 |
| ·常用SiGe HBT集约模型 | 第25-28页 |
| ·射频器件建模新方法 | 第28-31页 |
| ·神经网络建模方法 | 第28-30页 |
| ·非线性矢量函数建模方法 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 第三章 SiGe HBT小信号建模技术研究 | 第36-68页 |
| ·包含金属效应的SiGe HBT小信号电路模型 | 第36-49页 |
| ·考虑金属效应的小信号模型拓扑结构 | 第36-38页 |
| ·考虑金属效应的小信号模型参数提取方法 | 第38-43页 |
| ·模型验证 | 第43-49页 |
| ·SiGe HBT半分析方法建模技术 | 第49-63页 |
| ·包含分布式电容的SiGe HBT小信号等效电路模型 | 第50-56页 |
| ·半分析方法建模优化标准的设定 | 第56-58页 |
| ·半分析法SiGe HBT小信号建模的验证 | 第58-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 第四章 SiGe HBT大信号建模技术研究 | 第68-102页 |
| ·基于MEXTRAM 504的SiGe HBT大信号模型 | 第68-82页 |
| ·MEXTRM 504模型简介 | 第68-70页 |
| ·MEXTRAM 504模型主要特征表征形式 | 第70-73页 |
| ·基于MEXTRAM的SiGe HBT大信号模型 | 第73-82页 |
| ·基于GP模型提出的可缩放SiGe HBT大信号模型 | 第82-97页 |
| ·改进的模型主要特征 | 第83-86页 |
| ·改进的模型参数提取及尺寸依存性确定 | 第86-92页 |
| ·提出的尺寸依存性模型精度验证 | 第92-97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-102页 |
| 第五章 SiGe HBT热阻提取技术研究 | 第102-122页 |
| ·器件温度参数自热效应表征方法 | 第102-105页 |
| ·温度参数物理意义及一般提取过程 | 第102-103页 |
| ·自热效应及建模方法 | 第103-105页 |
| ·自热参数热阻提取方法 | 第105-110页 |
| ·脉冲测试法 | 第105-107页 |
| ·高频与低频S参数测试法 | 第107-108页 |
| ·不同温度直流输出特性曲线法 | 第108-110页 |
| ·改进的热阻提取方法 | 第110-117页 |
| ·改进的热阻提取方法原理分析 | 第110-115页 |
| ·改进的热阻提取方法验证 | 第115-117页 |
| ·不同尺寸器件热阻值 | 第117-118页 |
| ·热容提取方法简述 | 第118-119页 |
| ·本章小结 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-122页 |
| 第六章 无源器件建模技术 | 第122-150页 |
| ·SiGe HBT测试环境与SOLT校准技术 | 第122-126页 |
| ·S参数测试环境 | 第122-124页 |
| ·SOLT校准技术 | 第124-126页 |
| ·去嵌技术概述 | 第126-129页 |
| ·开路去嵌技术 | 第126-128页 |
| ·开路短路去嵌技术 | 第128-129页 |
| ·级联去嵌技术 | 第129页 |
| ·改进的多晶硅电阻去嵌方法 | 第129-134页 |
| ·改进的去嵌技术理论分析 | 第130-133页 |
| ·多晶硅电阻模型参数提取方法 | 第133-134页 |
| ·改进去嵌方法与多晶硅建模方法验证 | 第134-146页 |
| ·改进去嵌技术的验证 | 第135-137页 |
| ·模型参数值提取结果验证 | 第137-141页 |
| ·不同尺寸多晶硅电阻模型参数 | 第141-146页 |
| ·本章小结 | 第146-147页 |
| 参考文献 | 第147-150页 |
| 第七章 总结与展望 | 第150-154页 |
| ·本研究课题取得主要研究成果 | 第150-151页 |
| ·研究展望 | 第151-154页 |
| 英文名词缩写 | 第154-156页 |
| 攻读博士学位期间发表文章目录 | 第156-158页 |
| 致谢 | 第158页 |
