4H-SiC BJT功率器件结构和特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| ·课题研究背景 | 第9-10页 |
| ·4H-SIC BJT的研究现状与发展趋势 | 第10-12页 |
| ·4H-SIC BJT器件研究中存在的问题 | 第12-14页 |
| ·本文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第2章 4H-SIC BJT的物理模型及特性 | 第16-28页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·BJT基本工作原理 | 第16-17页 |
| ·BJT基本电学特性 | 第17-21页 |
| ·电流增益 | 第17-18页 |
| ·击穿电压 | 第18-20页 |
| ·比导通电阻 | 第20-21页 |
| ·4H-SIC BJT数值分析的物理模型及参数 | 第21-27页 |
| ·迁移率模型 | 第21-22页 |
| ·杂质不完全离化模型 | 第22-23页 |
| ·禁带宽度变窄模型 | 第23-25页 |
| ·SRH复合模型和俄歇复合模型 | 第25-26页 |
| ·碰撞电离模型 | 第26-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第3章 垂直型4H-SIC BJT的研究 | 第28-44页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·垂直型4H-SIC BJT结构 | 第28-29页 |
| ·垂直型4H-SIC BJT电流增益 | 第29-35页 |
| 3 3.1 表面复合效应对电流增益的影响 | 第29-31页 |
| ·几何尺寸对电流增益的影响 | 第31-35页 |
| ·垂直型4H-SIC BJT击穿电压 | 第35-39页 |
| ·4H-SiC BJT击穿电压 | 第35-36页 |
| ·4H-SiC BJT的终端设计 | 第36-39页 |
| ·垂直型4H-SiC BJT比导通电阻 | 第39-41页 |
| ·垂直型4H-SiC BJT基区的优化 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第4章 平面型4H-SIC BJT的研究 | 第44-58页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·平面型4H-SIC BJT结构 | 第44-45页 |
| ·平面型4H-SIC BJT击穿电压 | 第45-51页 |
| ·平面型4H-SiC BJT中的RESURF技术 | 第45-48页 |
| ·平面型4H-SiC BJT中的场板技术 | 第48-51页 |
| ·平面型4H-SIC BJT基区的优化 | 第51-54页 |
| ·平面型和垂直型4H-SIC BJT性能比较 | 第54-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第5章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
