| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-21页 |
| ·IGBT的诞生和发展 | 第11-15页 |
| ·IGBT的诞生 | 第11-12页 |
| ·IGBT历代产品 | 第12-15页 |
| ·IGBT发展的现状与趋势 | 第15-18页 |
| ·成熟产品结构优化 | 第15-17页 |
| ·新产品的开发 | 第17-18页 |
| ·论文研究的意义 | 第18-20页 |
| ·本文的主要工作及内容安排 | 第20-21页 |
| 第二章 ：IGBT工作原理 | 第21-31页 |
| ·基本结构 | 第21-22页 |
| ·截止特性 | 第22-24页 |
| ·NPT结构的截止特性 | 第22页 |
| ·PT结构及FS结构的截止特性 | 第22-24页 |
| ·导通特性 | 第24-26页 |
| ·阈值电压Vth | 第25页 |
| ·饱和导通压降V_(CE(sat)) | 第25-26页 |
| ·开关特性 | 第26-31页 |
| ·开通过程 | 第27-28页 |
| ·关断过程 | 第28-29页 |
| ·V_(CE(sat))与t_f的折中 | 第29-31页 |
| 第三章 ：25A/1200V IGBT的设计 | 第31-39页 |
| ·击穿电压的设计 | 第31-32页 |
| ·阈值电压的设计 | 第32-33页 |
| ·饱和导通压降及开关特性的设计 | 第33-35页 |
| ·仿真结果与测试结果 | 第35-39页 |
| 第四章 ：25A/1200V IGBT的可靠性考核 | 第39-51页 |
| ·温度循环实验(TC) | 第39-41页 |
| ·高温栅偏实验(HTGB) | 第41-44页 |
| ·耐湿实验(H3TRB) | 第44-46页 |
| ·高温反偏实验(HTRB) | 第46-51页 |
| ·HTRB(Ⅰ)考核 | 第46-48页 |
| ·HTRB(Ⅱ)考核 | 第48-51页 |
| 第五章 失效分析 | 第51-57页 |
| ·失效原因 | 第51页 |
| ·分析手段 | 第51-52页 |
| ·分析结果 | 第52-56页 |
| ·外观检查 | 第52页 |
| ·验证实验 | 第52-54页 |
| ·失效点位置确定 | 第54-56页 |
| ·失效原因及改进措施 | 第56-57页 |
| 第六章 总结 | 第57-59页 |
| ·主要研究成果 | 第57-58页 |
| ·论文创新点 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第62页 |