| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·选题背景及意义 | 第9-10页 |
| ·选题的背景 | 第9页 |
| ·课题研究的意义 | 第9-10页 |
| ·IGBT 发展及趋势 | 第10-13页 |
| ·IGBT 的发展背景 | 第10页 |
| ·应用及市场需求情况 | 第10-11页 |
| ·发展历程及趋势 | 第11-13页 |
| ·本章小结 | 第13-14页 |
| 第二章 FS-IGBT 简述 | 第14-29页 |
| ·IGBT 的基本结构以及工作原理 | 第14-18页 |
| ·正向导通特性 | 第15-17页 |
| ·正向阻断耐压 | 第17-18页 |
| ·阈值电压 | 第18页 |
| ·IGBT 的工作特性 | 第18-23页 |
| ·静态特性 | 第18-20页 |
| ·动态特性 | 第20-22页 |
| ·闩锁效应 | 第22页 |
| ·安全工作区 | 第22-23页 |
| ·PT IGBT，NPT IGBT 与 FS IGBT 的联系与区别 | 第23-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 3300V 具有 FS 结构的 IGBT 元胞设计 | 第29-48页 |
| ·工艺流程设计 | 第29-31页 |
| ·主要参数仿真 | 第31-42页 |
| ·N-区相关参数 | 第32-35页 |
| ·FS 层的优化 | 第35-36页 |
| ·栅长的仿真 | 第36-37页 |
| ·PBODY 区设计 | 第37-39页 |
| ·JFET 注入仿真 | 第39-40页 |
| ·最终确定的元胞尺寸及工艺流程 | 第40-42页 |
| ·版图设计 | 第42-47页 |
| ·设计规则 | 第42-43页 |
| ·版图绘制 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 验证及结果分析 | 第48-56页 |
| ·晶圆片测试 | 第48-50页 |
| ·封装后测试 | 第50-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第61-62页 |