| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·绝缘栅双极晶体管概述 | 第9-13页 |
| ·IGBT的发展简介 | 第9-12页 |
| ·IGBT的优缺点 | 第12-13页 |
| ·IGBT的应用 | 第13页 |
| ·绝缘栅双极晶体管的国内外的研究现状 | 第13-14页 |
| ·1200V绝缘栅双极晶体管的发展 | 第14-16页 |
| ·课题研究内容及意义 | 第16-18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第2章 绝缘栅双极晶体管的工作机理及结终端 | 第19-27页 |
| ·IGBT的工作机理 | 第19-21页 |
| ·IGBT结终端技术 | 第21-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 DESSISI/TSUPREM4仿真工具及其机理 | 第27-37页 |
| ·仿真软件简介 | 第27页 |
| ·DESSISI基本简介 | 第27-32页 |
| ·TSUPREM4基本简介 | 第32-33页 |
| ·TCAD仿真的误差 | 第33-35页 |
| ·TCAD工艺误差 | 第33-34页 |
| ·TCAD器件误差 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 1200V NPT-IGBT的研制 | 第37-59页 |
| ·1200V NPT-IGBT器件研制的技术方案 | 第37-41页 |
| ·衬底的选取及耐压层结构 | 第38页 |
| ·表面MOS结构 | 第38-40页 |
| ·结终端结构 | 第40-41页 |
| ·1200V NPT-IGBT器件研制的仿真分析 | 第41-51页 |
| ·击穿电压仿真 | 第41-43页 |
| ·IGBT其它特性参数仿真 | 第43-46页 |
| ·开关特性仿真 | 第46-49页 |
| ·1200V NPT-IGBT工艺 | 第49-51页 |
| ·1200V NPT-IGBT器件研制的版图设计 | 第51-53页 |
| ·1200V NPT-IGBT器件的版图 | 第51-52页 |
| ·1200V NPT-IGBT器件的版图中的测试图形 | 第52-53页 |
| ·1200V NPT-IGBT样品实测结果 | 第53-57页 |
| ·1200V NPT-IGBT可靠性考核及与国外同类产品对比结果 | 第57-58页 |
| ·1200V NPT-IGBT可靠性考核 | 第57页 |
| ·本文样品与同类产品对比 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 1200V NPT-IGBT仿真与实测对比的异常情况分析 | 第59-73页 |
| ·1200V NPT-IGBT实测结果与仿真结果比较 | 第59-61页 |
| ·击穿电压实测、仿真结果比较 | 第59页 |
| ·IGBT其它特性参数实测、仿真结果比较 | 第59-60页 |
| ·IGBT部分工艺仿真结果与实测结果的比较 | 第60-61页 |
| ·1200V NPT-IGBT部分异常现象分析 | 第61-72页 |
| ·多级场板终端击穿电压仿真结果远小于实测结果 | 第61-67页 |
| ·过高温度推P阱的样品CE短路 | 第67-69页 |
| ·P环扩散仿真偏差分析 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
