| 作者简介 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| ·研究背景及意义 | 第13-15页 |
| ·碳化硅材料的优势 | 第13-15页 |
| ·4H-SiC 双极晶体管的研究意义 | 第15页 |
| ·国内外 4H-SiC BJTs功率器件的研究现状及存在的问题 | 第15-18页 |
| ·国内外的研究现状 | 第15-17页 |
| ·存在的问题 | 第17-18页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第18-21页 |
| 第二章 4H-SiC的材料特性及双极晶体管基本工作机理研究 | 第21-45页 |
| ·SiC晶体结构和晶型 | 第21-22页 |
| ·4H-SiC的电特性参数 | 第22-23页 |
| ·宽带隙 | 第22页 |
| ·临界击穿电场 | 第22-23页 |
| ·热导率 | 第23页 |
| ·4H-SiC模型参数 | 第23-29页 |
| ·本征载流子浓度和带隙模型 | 第23-25页 |
| ·迁移率模型 | 第25-26页 |
| ·载流子复合模型 | 第26页 |
| ·碰撞离化模型 | 第26-27页 |
| ·不完全离化模型 | 第27-29页 |
| ·双极型晶体管的工作原理及直流特性分析 | 第29-38页 |
| ·双极型晶体管的基本工作原理 | 第29-31页 |
| ·直流电流增益 | 第31-33页 |
| ·基区渡越时间 | 第33-34页 |
| ·击穿特性 | 第34-38页 |
| ·影响双极型晶体管特性的几个关键因素 | 第38-43页 |
| ·发射极电流集边效应 | 第38-40页 |
| ·基区大注入效应 | 第40-42页 |
| ·界面态对器件直流特性的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 4H-SiC 双外延基区BJTs结构设计及模拟研究 | 第45-73页 |
| ·ISE简介 | 第45-46页 |
| ·4H-SiC双外延BJTs发射区结构设计 | 第46-49页 |
| ·发射区掺杂浓度对器件直流特性的影响 | 第46-47页 |
| ·发射区宽度对器件直流特性的影响 | 第47-49页 |
| ·双外延基区结构设计 | 第49-56页 |
| ·基区渡越时间解析计算 | 第49-53页 |
| ·双外延基区掺杂浓度及厚度优化设计 | 第53-54页 |
| ·双外延基区晶体管的电流增益 | 第54-55页 |
| ·基区欧姆接触到发射区台面距离优化设计 | 第55-56页 |
| ·4H-SiC BJTs的击穿特性及结终端结构设计研究 | 第56-61页 |
| ·结终端技术 | 第56-57页 |
| ·双外延基区结终端技术优化研究 | 第57-61页 |
| ·集电极外延结构优化设计 | 第61-62页 |
| ·界面态对器件直流特性的影响 | 第62-67页 |
| ·B-E结外延层界面态 | 第63-64页 |
| ·SiC/SiO_2界面态 | 第64-65页 |
| ·器件模拟所采用的界面态参数 | 第65-66页 |
| ·界面态对击穿电压的影响 | 第66-67页 |
| ·4H-SiC BJTs的高温特性研究 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-73页 |
| 第四章 其它结构双极晶体管设计研究 | 第73-85页 |
| ·缓变基区双极晶体管 | 第73-78页 |
| ·缓变基区双极晶体管的基区自建电场 | 第73-75页 |
| ·缓变基区双极晶体管基区渡越时间计算 | 第75-77页 |
| ·缓变基区双极晶体管直流电流增益 | 第77页 |
| ·高斯掺杂基区双极晶体管的直流特性 | 第77-78页 |
| ·金-半接触发射极双极晶体管（MSBJT） | 第78-83页 |
| ·金属-半导体双极晶体管中的关键问题 | 第78-80页 |
| ·金属-半导体双极晶体管直流特性模拟 | 第80-81页 |
| ·金属-半导体双极晶体管直流增益的温度特性 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 第五章 4H-SiC双外延基区BJTs的工艺研究与设计 | 第85-105页 |
| ·整体工艺流程设计 | 第85-88页 |
| ·版图设计 | 第88-89页 |
| ·材料制备 | 第89页 |
| ·台面刻蚀 | 第89-94页 |
| ·SiC刻蚀 | 第89-90页 |
| ·发射区台面刻蚀 | 第90-93页 |
| ·基区台面刻蚀 | 第93-94页 |
| ·表面钝化 | 第94-96页 |
| ·离子注入 | 第96-97页 |
| ·欧姆接触 | 第97-99页 |
| ·测试结果 | 第99-104页 |
| ·共发射极电流增益 | 第100-102页 |
| ·比导通电阻 | 第102页 |
| ·欧姆接触电阻 | 第102-103页 |
| ·击穿电压 | 第103-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 第六章 结束语 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-123页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第123-125页 |
| 学术论文 | 第123-124页 |
| 参加的科研项目 | 第124页 |
| 奖励和荣誉 | 第124-125页 |
