| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-19页 |
| ·课题研究背景 | 第9-16页 |
| ·电力电子技术的发展 | 第9-10页 |
| ·IGBT的国内外发展概况 | 第10-16页 |
| ·课题研究意义 | 第16-17页 |
| ·本文主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 IGBT基本理论 | 第19-40页 |
| ·IGBT模型分析 | 第19-24页 |
| ·PIN Rectifier-DMOSFET模型 | 第20-22页 |
| ·Bipolar Transistor-DMOSFET模型 | 第22-23页 |
| ·考虑寄生效应的全模型 | 第23-24页 |
| ·IGBT的工作原理 | 第24-27页 |
| ·IGBT的特性 | 第27-32页 |
| ·IGBT的静态特性 | 第27-30页 |
| ·IGBT的动态特性 | 第30-31页 |
| ·IGBT的安全工作区 | 第31-32页 |
| ·IGBT的驱动与保护 | 第32-34页 |
| ·IGBT驱动 | 第32-33页 |
| ·IGBT保护 | 第33-34页 |
| ·IGBT的失效 | 第34-39页 |
| ·静态失效 | 第34-35页 |
| ·动态失效 | 第35-36页 |
| ·闩锁失效 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 IGBT的设计 | 第40-66页 |
| ·工艺流程设计 | 第40-41页 |
| ·器件结构设计 | 第41-57页 |
| ·元胞的设计 | 第42-50页 |
| ·PT型与NPT型的区别 | 第42-43页 |
| ·IGBT的MOS部分的设计 | 第43-49页 |
| ·IGBT漂移区的设计 | 第49页 |
| ·IGBT集电极的设计 | 第49-50页 |
| ·终端的设计 | 第50-57页 |
| ·终端设计理论 | 第50-53页 |
| ·本文采用的终端设计 | 第53-57页 |
| ·可靠性设计 | 第57-62页 |
| ·影响IGBT可靠性的主要因素 | 第58-59页 |
| ·提高IGBT可靠性的主要措施 | 第59-62页 |
| ·版图设计 | 第62-64页 |
| ·工艺参数优化设计 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第四章 两次流片测试与结果分析 | 第66-79页 |
| ·静态参数测试 | 第66-73页 |
| ·可靠性测试 | 第73-77页 |
| ·动态参数测试 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 提高IGBT可靠性的新结构 | 第79-86页 |
| ·具有体电极的沟槽栅型IGBT | 第79-82页 |
| ·具有载流子存储层和额外空穴通路的IGBT | 第82-84页 |
| ·深槽侧氧调制的平面型IGBT | 第84-86页 |
| 第六章 结论 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-90页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第90页 |