摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第1章 绪论 | 第10-16页 |
·课题背景 | 第10-11页 |
·国内外研究现状 | 第11-13页 |
·国外情况 | 第11-12页 |
·国内情况 | 第12-13页 |
·课题的主要研究内容及意义 | 第13-16页 |
第2章 实验样品及辐照实验 | 第16-34页 |
·实验样品的电路原理、版图及工艺 | 第16-23页 |
·实验样品的电路结构与版图 | 第16-21页 |
·实验样品的工艺流程 | 第21-22页 |
·实验样品的电学参数测试 | 第22-23页 |
·辐照实验及辐照效应 | 第23-26页 |
·电离辐照实验 | 第23-24页 |
·电离辐照效应 | 第24页 |
·电离辐照损伤机理分析 | 第24-26页 |
·辐照中的氧化层电荷 | 第26-32页 |
·氧化层电荷介绍 | 第26-27页 |
·氧化层电荷的测量 | 第27-32页 |
·本章小结 | 第32-34页 |
第3章 集成稳压器中 NPN 晶体管的电离辐照效应 | 第34-52页 |
·NPN 晶体管的电离辐照效应 | 第34-37页 |
·I-V 特性曲线 | 第34-35页 |
·Gummel 曲线 | 第35-36页 |
·漏电流 | 第36-37页 |
·NPN 晶体管的电离辐照损伤机理分析 | 第37-39页 |
·增益退化 | 第37页 |
·过剩基极电流 | 第37-38页 |
·退化机制 | 第38-39页 |
·NPN 晶体管的抗电离辐照加固措施 | 第39-50页 |
·掺杂工艺对 NPN 晶体管抗电离辐照性能影响 | 第39-43页 |
·钝化工艺对 NPN 晶体管抗电离辐照性能影响 | 第43-47页 |
·版图设计对 NPN 晶体管抗电离辐照性能影响 | 第47-50页 |
·本章小结 | 第50-52页 |
第4章 集成稳压器中 PNP 晶体管的电离辐照效应 | 第52-70页 |
·PNP 晶体管的电离辐照效应 | 第52-55页 |
·I-V 特性曲线 | 第52-53页 |
·Gummel 曲线 | 第53-54页 |
·漏电流 | 第54-55页 |
·PNP 晶体管的电离辐照损伤机理分析 | 第55-58页 |
·增益退化 | 第55页 |
·过剩基极电流 | 第55-56页 |
·退化机制 | 第56-58页 |
·PNP 晶体管的抗电离辐照加固措施 | 第58-69页 |
·掺杂工艺对 PNP 晶体管抗电离辐照性能影响 | 第58-61页 |
·钝化工艺对 PNP 晶体管抗电离辐照性能影响 | 第61-63页 |
·氧化工艺对 PNP 晶体管抗电离辐照性能影响 | 第63-65页 |
·版图设计对 PNP 晶体管抗电离辐照性能影响 | 第65-69页 |
·本章小结 | 第69-70页 |
第5章 集成稳压器中双极晶体管的辐照退火效应 | 第70-74页 |
·集成稳压器中双极晶体管常温退火效应 | 第70-72页 |
·双极晶体管常温退火效应 | 第70-71页 |
·双极晶体管常温退火机理 | 第71-72页 |
·集成稳压器中双极晶体管高温退火效应 | 第72-73页 |
·双极晶体管高温退火效应 | 第72-73页 |
·双极晶体管高温退火机理 | 第73页 |
·本章小结 | 第73-74页 |
结论 | 第74-76页 |
参考文献 | 第76-80页 |
攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第80-82页 |
致谢 | 第82页 |