SOI SiGe HBT结构与集电区模型研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-11页
·引言	第7-8页
·国内外研究现状	第8-10页
·应变SiGe技术	第8-9页
·SOI基SiGeHBT	第9-10页
·本论文研究内容和章节安排	第10-11页
第二章 SiGe材料基本物理属性分析	第11-21页
·Si1-xGex材料基本属性	第11-17页
·SiGe晶格结构与应力分析	第12-13页
·SiGe能带结构	第13-15页
·应变层临界厚度	第15-16页
·应变SiGe其它特性参数	第16-17页
·SOI技术	第17-19页
·本章小结	第19-21页
第三章 SOISiGeHBT性能分析与结构设计	第21-41页
·SOISiGeHBT性能分析	第21-28页
·SiGeHBT直流特性	第23-25页
·SiGeHBT交流特性	第25-28页
·SOISiGeHBT结构设计	第28-34页
·发射区结构参数设计	第29-30页
·基区结构参数设计	第30-32页
·集电区结构参数设计	第32-34页
·结构仿真分析	第34-37页
·SOISiGeHBT实现过程	第37-40页
·本章小结	第40-41页
第四章 SOISiGeHBT集电结模型研究	第41-63页
·集电结空间电荷区模型	第41-49页
·集电结纵向空间电荷区模型	第42-45页
·集电结横向空间电荷区模型	第45-46页
·集电结空间电荷区结果分析	第46-49页
·SOISiGeHBT集电结耗尽层电容模型	第49-59页
·集电结理想耗尽层电容模型	第49-51页
·集电结理想耗尽层电容讨论	第51-54页
·集电结实际耗尽层电容模型	第54-56页
·集电结实际耗尽层电容讨论	第56-59页
·集电区全耗尽和部分耗尽情况下器件性能	第59-61页
·集电结空间电荷区演变	第59页
·耗尽情况与器件性能	第59-61页
·本章小结	第61-63页
第五章 总结和展望	第63-65页
致谢	第65-67页
参考文献	第67-71页