SOI SiGe HBT性能与结构设计研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·SOI SiGe技术必要性 | 第11-13页 |
| ·国内外发展状况 | 第13-18页 |
| ·本论文研究目的和意义 | 第18-19页 |
| ·本文主要研究工作 | 第19-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第二章 应变SiGe基本物理特性研究 | 第23-41页 |
| ·应变SiGe形成及特点 | 第23-31页 |
| ·仿真结构与模型设定 | 第31-39页 |
| ·器件结构定义 | 第32页 |
| ·基础物理模型 | 第32-33页 |
| ·材料模型设定 | 第33-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 SOI SiGe HBT性能分析研究 | 第41-51页 |
| ·器件主要参数分析 | 第41-45页 |
| ·SOI SiGe HBT性能研究 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 SOI SiGe HBT电学模型研究 | 第51-107页 |
| ·SOI SiGe HBT集电结理论模型 | 第51-60页 |
| ·SOI SiGe HBT器件结构及等效电路 | 第51-52页 |
| ·部分耗尽HBT集电结纵向空间电荷区模型 | 第52-54页 |
| ·部分耗尽HBT集电结横向空间电荷区模型 | 第54-55页 |
| ·结果与分析 | 第55-60页 |
| ·本节小结 | 第60页 |
| ·SOI SiGe HBT集电结耗尽层电容模型 | 第60-70页 |
| ·集电结理想耗尽层电容推导 | 第61-62页 |
| ·集电结理想耗尽层电容讨论 | 第62-65页 |
| ·集电结实际耗尽层电荷和电容模型 | 第65-68页 |
| ·集电结实际耗尽层电荷和电容讨论 | 第68-70页 |
| ·SOI SiGe HBT Early电压模型 | 第70-83页 |
| ·Si BJT Early效应 | 第70-73页 |
| ·常规SiGe HBT Early效应 | 第73-78页 |
| ·SOI SiGe HBT Early效应 | 第78-83页 |
| ·本节小结 | 第83页 |
| ·SOI SiGe HBT雪崩倍增效应 | 第83-93页 |
| ·部分耗尽SOI SiGe HBT雪崩倍增效应 | 第85-89页 |
| ·全部耗尽SOI SiGe HBT雪崩倍增效应 | 第89-93页 |
| ·基区渡越时间 | 第93-100页 |
| ·Si BJT基区渡越时间 | 第94-97页 |
| ·SOI SiGe HBT基区渡越时间 | 第97-100页 |
| ·衬底偏置效应 | 第100-106页 |
| ·衬底偏压对集电区电阻影响 | 第100-105页 |
| ·本节小结 | 第105-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 第五章 SOI SiGe HBT大电流模型研究 | 第107-115页 |
| ·大电流模型 | 第108-110页 |
| ·SOI SiGe HBT大电流模型分析 | 第110-113页 |
| ·本章小结 | 第113-115页 |
| 第六章 SOI SiGe HBT结构设计研究 | 第115-129页 |
| ·器件结构仿真 | 第115-127页 |
| ·与常规SiGe HBT比较 | 第121-122页 |
| ·衬底偏置 | 第122-123页 |
| ·材料物理参数 | 第123-125页 |
| ·几何物理参数 | 第125-127页 |
| ·设计讨论 | 第127页 |
| ·本章小结 | 第127-129页 |
| 第七章 结论 | 第129-131页 |
| 致谢 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-153页 |
| 攻博期间研究成果 | 第153-154页 |
