绝缘栅双极型晶体管结温测量方法的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·IGBT 模块失效因素 | 第10-11页 |
| ·IGBT 结温测量研究现状 | 第11-16页 |
| ·IGBT 器件加速老化试验研究现状 | 第16-18页 |
| ·本论文的主要内容 | 第18-20页 |
| 2 IGBT 温度效应及温敏参数选择 | 第20-28页 |
| ·IGBT 模块封装结构及传热分析 | 第20-22页 |
| ·IGBT 模块封装结构 | 第20-21页 |
| ·IGBT 模块传热分析 | 第21-22页 |
| ·IGBT 芯片温度效应 | 第22-25页 |
| ·IGBT 热学特性 | 第22-24页 |
| ·IGBT 多层结构双金属效应 | 第24-25页 |
| ·温敏参数法参数选择 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 3 IGBT 模块加速老化试验 | 第28-43页 |
| ·IGBT 加速老化试验原理 | 第28-29页 |
| ·加速老化试验方案 | 第29-31页 |
| ·试验装置 | 第31-35页 |
| ·功率循环老化试验系统 | 第31-32页 |
| ·单脉冲测试系统 | 第32-35页 |
| ·试验方法及步骤 | 第35-40页 |
| ·单脉冲测试试验 | 第36-37页 |
| ·功率循环老化试验 | 第37-38页 |
| ·结温饱和压降校正试验 | 第38-40页 |
| ·实验结果 | 第40-42页 |
| ·饱和压降 Vcesat | 第40-41页 |
| ·栅极驱动信号 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 4 基于饱和压降的 IGBT 结温测量 | 第43-54页 |
| ·结温与饱和压降的关系 | 第43-44页 |
| ·结温测量实验方法 | 第44-46页 |
| ·小电流结温测量 | 第44-45页 |
| ·大电流结温测量 | 第45-46页 |
| ·全新 IGBT 结温测量结果及分析 | 第46-50页 |
| ·小电流结温测量结果 | 第46-47页 |
| ·大电流结温测量结果 | 第47-48页 |
| ·IGBT 结温预测模型 | 第48-50页 |
| ·老化前后 IGBT 结温测量结果对比分析 | 第50-53页 |
| ·小电流结温测量结果对比 | 第50-51页 |
| ·大电流结温测量结果对比 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 5 老化进程中的结温预测模型 | 第54-59页 |
| ·以往温敏参数法测结温的不足 | 第54页 |
| ·老化进程中结温预测模型 | 第54-56页 |
| ·老化 4000 次 | 第54-55页 |
| ·老化 5000 次 | 第55页 |
| ·老化 6000 次 | 第55页 |
| ·老化 7000 次 | 第55-56页 |
| ·老化 8000 次 | 第56页 |
| ·老化进程中结温预测误差分析 | 第56-58页 |
| ·结温预测模型的应用 | 第58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 6 结论与展望 | 第59-61页 |
| ·论文工作总结 | 第59-60页 |
| ·后续研究工作的展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 附录 | 第67页 |
| A. 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第67页 |
| B. 作者在攻读硕士学位期间参与的科研项目 | 第67页 |
