| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·功率器件的发展和应用 | 第9-10页 |
| ·IGBT的产生及背景 | 第10-11页 |
| ·IGBT的发展现状 | 第11-14页 |
| ·国内外IGBT发展现状对比 | 第14-15页 |
| ·本章小结 | 第15-16页 |
| 第二章 IGBT半导体器件的结构与工作原理 | 第16-27页 |
| ·IGBT器件的结构与分类 | 第16-19页 |
| ·IGBT器件的基本结构 | 第16-17页 |
| ·IGBT器件基本类型 | 第17-19页 |
| ·IGBT器件的工作原理 | 第19页 |
| ·反向阻断 | 第19页 |
| ·正向阻断 | 第19页 |
| ·正向导通 | 第19页 |
| ·IGBT的特性分析 | 第19-23页 |
| ·IGBT静态工作特性 | 第20-21页 |
| ·IGBT动态工作特性 | 第21-23页 |
| ·IGBT的主要参数分析 | 第23-25页 |
| ·导通压降 | 第23-24页 |
| ·闩锁效应 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 仿真软件介绍 | 第27-32页 |
| ·半导体模拟仿真软件以及仿真模拟的可行性 | 第27-28页 |
| ·Medici器件仿真模拟软件简介 | 第28-30页 |
| ·Medici器件模拟基本方程 | 第28-29页 |
| ·Medici中器件物理模型的选取 | 第29-30页 |
| ·Medici器件网格离散化 | 第30页 |
| ·Tsuprem4仿真模拟软件简介 | 第30-31页 |
| ·Tsuprem4仿真工艺条件确定 | 第31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 3300V IGBT器件结构工艺设计与仿真分析 | 第32-58页 |
| ·器件元胞结构设计 | 第32-37页 |
| ·元胞栅极设计 | 第32-33页 |
| ·有源区形状 | 第33-35页 |
| ·纵向结构 | 第35-37页 |
| ·器件材料与关键参数的选取与设计 | 第37-41页 |
| ·材料晶向 | 第37-38页 |
| ·材料电阻率和厚度的选择 | 第38-40页 |
| ·P阱区参数设计 | 第40页 |
| ·P+集电极参数设定 | 第40页 |
| ·载流子寿命 | 第40-41页 |
| ·器件工艺设计 | 第41-44页 |
| ·工艺流程设计 | 第41-43页 |
| ·关键工艺步骤分析 | 第43-44页 |
| ·器件工艺模拟实现 | 第44-51页 |
| ·器件工艺与器件联立仿真分析 | 第51-56页 |
| ·元胞大小对器件参数的影响 | 第51-53页 |
| ·材料电阻率与N-漂移基区厚度的确定 | 第53-54页 |
| ·P-body区浓度与结深对器件参数的影响 | 第54-55页 |
| ·载流子寿命对器件参数的影响 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 终端版图设计与仿真优化分析 | 第58-70页 |
| ·影响器件耐压的因素 | 第58-60页 |
| ·结终端形状对器件耐压的影响 | 第58-59页 |
| ·氧化层电荷对器件击穿电压影响 | 第59-60页 |
| ·常见的终端结构 | 第60-63页 |
| ·场板技术 | 第60-62页 |
| ·场限环结终端技术 | 第62-63页 |
| ·场板加场限环结构 | 第63页 |
| ·终端结构设计 | 第63-65页 |
| ·终端结构的选定 | 第63-64页 |
| ·终端结构设定 | 第64-65页 |
| ·终端模拟仿真确定 | 第65-67页 |
| ·平行平面结模拟仿真 | 第65页 |
| ·终端结构设计仿真与分析 | 第65-67页 |
| ·版图设计 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第74页 |