当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
半导体三极管(晶体管)
--
晶体管:按工艺分
基于电极界面调控提高OTFT注入效应的研究
MgInSnO薄膜晶体管的研制
薄膜晶体管电流模型的高阶效应研究
聚苯乙烯分子刷绝缘修饰层对喷墨打印有机薄膜晶体管的影响
湿法制备的晶态金属氧化物薄膜及其晶体管性质研究
碳纳米管薄膜晶体管极性调控及柔性器件制备
非晶IGZO薄膜晶体管与基本电路研究
阳极氧化法制备TFT绝缘层研究
仿神经元突触行为的碳纳米管晶体管制备技术的研究
氧化铟基薄膜晶体管的制备与性能研究
双有源层a-IGZO薄膜晶体管的特性仿真
溶液法薄膜制备工艺中微观表面梯度的作用机制和应用研究
高性能有机薄膜晶体管的研究及其应用
基于氧化锌薄膜晶体管的透明指纹识别系统
非晶IGZO薄膜晶体管的光照特性研究
Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管制备与研究
低压铟锌氧双电层晶体管研究
InZnO:N薄膜晶体管的研制
基于双层结构InGaZnO/InGaZnO:N薄膜晶体管及忆阻器件的研究
基于复合绝缘层的a-IGZO薄膜晶体管制备及其性能研究
基于溶液法的金属氧化物薄膜晶体管工艺及性能研究
非晶IGZO薄膜晶体管背沟道表面修饰及器件特性研究
一氧化锡薄膜晶体管与类CMOS电子器件研究
薄膜晶体管的功能层修饰与性能关系的研究
有机薄膜晶体管的界面性能研究
金属氧化物和有机薄膜晶体管的溶液法制备与应用研究
有机薄膜晶体管栅绝缘层的研究
低电压InGaZnO双电层薄膜晶体管及其阈值电压调控
锂氮掺杂氧化锌薄膜晶体管的制备与性能
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管的器件物理研究
基于活性层掺杂的有机薄膜晶体管制备及其介电层修饰的研究
基于活性层及介电层改性的有机薄膜晶体管研究
基于IGZO的薄膜晶体管结构设计和性能研究
薄膜晶体管器件在动态应力下的退化研究
InZnO双电层薄膜晶体管及其低压反相器应用研究
柔性SWNT-TFT溶液工艺及输出特性仿真研究
制备工艺以及退火处理对ZnO-TFT性能的影响
溶液法制备绝缘层及其性能的研究
氧化锌薄膜晶体管的模拟研究
有机薄膜晶体管的模拟研究
制备工艺对非晶铟锡锌氧化物薄膜晶体管的性能影响研究
酞菁氧钒有机薄膜晶体管的性能研究
射频磁控溅射非晶Al2O3薄膜制备与性能研究
印刷碳纳米管薄膜晶体管和简单逻辑电路的构建及电性能研究
纵向沟道有机晶体管制备及光电特性分析
有机薄膜三极管感光阵列及其小信号测试
有机薄膜晶体管工艺及器件模型的研究
有机薄膜晶体管的研究--Tips-Pentacene薄膜的制备及其电流传输特性的研究
氧化物薄膜晶体管研究--金属/半导体界面和柔性薄膜晶体管
金属氧化物薄膜晶体管器件的稳定性研究
上一页
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
下一页