| 内容摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-36页 |
| 第一节 引言 | 第14-15页 |
| 第二节 有机薄膜晶体管基本知识简介 | 第15-24页 |
| 一、有机薄膜晶体管的基本组成部分 | 第15-16页 |
| 二、有机薄膜晶体管的结构 | 第16-17页 |
| 三、有机薄膜晶体管的工作原理简介 | 第17页 |
| 四、有机薄膜晶体管的主要性能参数 | 第17-21页 |
| 五、有机薄膜晶体管中的电荷传输机理 | 第21-24页 |
| 第三节 有机薄膜晶体管中的界面简介 | 第24-34页 |
| 一、电极与有机半导体层之间界面研究概述 | 第25-32页 |
| 二、绝缘层与有机半导体层之间界面研究概述 | 第32-34页 |
| 第四节 本论文选题依据与主要研究内容 | 第34-36页 |
| 第二章 共价键合GO与金电极方法提升OTFT的电荷注入与输出能力 | 第36-62页 |
| 第一节 引言 | 第36-37页 |
| 第二节 实验部分 | 第37-39页 |
| 一、实验材料及设备 | 第37-38页 |
| 二、GO的修饰 | 第38页 |
| 三、OTFT器件的制备与表征 | 第38-39页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第39-61页 |
| 一、金电极表面共价键合GO的表征 | 第39-42页 |
| 二、OTFT电学性能测试 | 第42-51页 |
| 三、电极和半导体层之间接触电阻的分析 | 第51-53页 |
| 四、本征迁移率的计算 | 第53-56页 |
| 五、原因分析 | 第56-60页 |
| 六、补充说明 | 第60-61页 |
| 第四节 结论 | 第61-62页 |
| 第三章 基于不同密度OTS修饰的绝缘层对有机薄膜晶体管性能的影响 | 第62-75页 |
| 第一节 引言 | 第62-63页 |
| 第二节 实验部分 | 第63-64页 |
| 一、实验试剂及测试仪器 | 第63页 |
| 二、OTS的修饰 | 第63页 |
| 三、OTFT器件的构筑及测试 | 第63-64页 |
| 第三节 实验结果及讨论 | 第64-73页 |
| 一、不同密度OTS接触角的测试 | 第64页 |
| 二、DNTT在不同密度OTS表面的AFM测试 | 第64-65页 |
| 三、基于不同密度OTS的DNTT有机薄膜晶体管电学性能测试 | 第65-68页 |
| 四、基于不同密度OTS的DNTT有机薄膜晶体管的接触电阻 | 第68-69页 |
| 五、基于不同密度OTS的PDI-8CN2有机薄膜晶体管性能研究 | 第69-73页 |
| 第四节 结论 | 第73-75页 |
| 第四章 一种后处理方法制备超平自组装单分子膜用于制备高性能OTFT | 第75-91页 |
| 第一节 引言 | 第75-77页 |
| 第二节 实验 | 第77-79页 |
| 一、实验试剂及测试仪器 | 第77页 |
| 二、OTS超平膜的修饰 | 第77-78页 |
| 三、OTFT器件的构筑 | 第78-79页 |
| 第三节 实验结果及讨论 | 第79-90页 |
| 一、OTS超平膜的表征 | 第79-81页 |
| 二、基于超平OTS的p型有机薄膜晶体管电学性能测试 | 第81-84页 |
| 三、p型有机半导体DNTT生长模式的表征 | 第84-87页 |
| 四、基于超平OTS的n型有机薄膜晶体管电学性能测试 | 第87-88页 |
| 五、n型有机半导体PDI-8CN2生长模式的表征 | 第88-90页 |
| 第四节 结论与总结 | 第90-91页 |
| 第五章 结论与展望 | 第91-93页 |
| 第一节 本文主要结论 | 第91-92页 |
| 第二节 展望 | 第92-93页 |
| 附录 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
