| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 薄膜晶体管概述 | 第10-30页 |
| ·多晶硅晶体管技术及氧化物晶体管技术 | 第14-20页 |
| ·多晶硅晶体管技术 | 第14-17页 |
| ·氧化物晶体管技术 | 第17-20页 |
| ·TFT器件可靠性的研究基础 | 第20-26页 |
| ·直流偏压导致的器件退化 | 第20-23页 |
| ·交流电应力下的器件退化 | 第23-26页 |
| ·本文主要研究工作 | 第26-30页 |
| 第二章 多晶硅TFT在栅脉冲应用下的退化研究 | 第30-46页 |
| ·TFT器件及可靠性实验 | 第31-37页 |
| ·多晶硅TFT样品制备 | 第31-33页 |
| ·栅脉冲下的器件退化 | 第33-34页 |
| ·器件退化与上升、下降沿的关系 | 第34-35页 |
| ·器件退化与周期、脉冲个数的关系 | 第35页 |
| ·TFT器件在交流电应力下的退化条件 | 第35-37页 |
| ·非平衡态PN结退化模型 | 第37-44页 |
| ·本章结论 | 第44-46页 |
| 第三章 一种新型TFT及其退化抑制研究 | 第46-62页 |
| ·AMOLED的电路补偿技术 | 第47-48页 |
| ·一种具有载流子注入结构的新型TFT | 第48-60页 |
| ·载流子注入结构对新型TFT特性的影响 | 第49-51页 |
| ·新型TFT的退化抑制效果 | 第51-57页 |
| ·退化抑制的关键因素 | 第57-60页 |
| ·本章结论 | 第60-62页 |
| 第四章 铟镓锌氧化物TFT在栅脉冲下的退化研究 | 第62-84页 |
| ·铟镓锌氧化物TFT器件的制备 | 第62-64页 |
| ·栅脉冲应力下铟镓锌氧化物TFT的退化实验 | 第64-69页 |
| ·栅脉冲应力下的器件退化模型 | 第69-71页 |
| ·动态热载流子和负偏栅应力的混合效应 | 第71-74页 |
| ·铟镓锌氧化物TFT在栅脉冲应力下的退化仿真 | 第74-82页 |
| ·TFT的参数拟合及特性仿真 | 第74-77页 |
| ·沟道水平瞬态电场的提取 | 第77-80页 |
| ·注入电荷和界面缺陷的定量讨论 | 第80-82页 |
| ·本章总结 | 第82-84页 |
| 第五章 铟镓锌氧TFT在栅/漏应力共同作用下的退化研究 | 第84-97页 |
| ·铟镓锌氧TFT在栅/漏共同作用下的退化现象 | 第84-92页 |
| ·直流栅/漏偏压下铟镓锌氧TFT的退化 | 第85-86页 |
| ·栅/漏同步脉冲条件下铟镓锌氧TFT的退化 | 第86-90页 |
| ·漏脉冲条件下铟镓锌氧TFT的退化 | 第90-92页 |
| ·栅/漏偏压共同作用下的退化模型 | 第92-95页 |
| ·本章总结 | 第95-97页 |
| 第六章 总结及展望 | 第97-100页 |
| 参考文献 | 第100-107页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及其他研究成果 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |