| 致谢 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 薄膜晶体管的应用及发展 | 第11-14页 |
| 1.2.1 不同应用背景对TFT技术的需求 | 第11-13页 |
| 1.2.2 不同半导体材料TFT的比较 | 第13-14页 |
| 1.3 薄膜晶体管的结构、原理及性能表征 | 第14-18页 |
| 1.3.1 薄膜晶体管的结构 | 第14-15页 |
| 1.3.2 薄膜晶体管的原理 | 第15-16页 |
| 1.3.3 薄膜晶体管的性能表征 | 第16-18页 |
| 1.4 本文的研究目标及选题意义 | 第18页 |
| 1.5 论文的主要内容和章节安排 | 第18-20页 |
| 第二章 有源层厚度对InZnO：N-TFT性能的影响 | 第20-28页 |
| 2.1 器件制备 | 第20-21页 |
| 2.2 分析与讨论 | 第21-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 退火温度对InZnO：N-TFT性能的影响 | 第28-34页 |
| 3.1 器件制备 | 第28-29页 |
| 3.2 分析与讨论 | 第29-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 O_2/Ar对InZnO: N-TFT性能的影响 | 第34-39页 |
| 4.1 器件制备 | 第34页 |
| 4.2 分析与讨论 | 第34-38页 |
| 4.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第五章 沟道宽长比、沟道长对InZnO：N-TFT性能的影响 | 第39-46页 |
| 5.1 器件制备 | 第39页 |
| 5.2 分析与讨论 | 第39-45页 |
| 5.2.1 宽长比对InZnO：N-TFT性能的影响 | 第39-42页 |
| 5.2.2 沟道长对InZnO：N-TFT性能的影响 | 第42-45页 |
| 5.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第六章 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第50-52页 |
| 学位论文数据集 | 第52页 |
