| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第11-29页 |
| 1.1 薄膜晶体管的研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 不同有源层材料TFT性能的比较 | 第12-14页 |
| 1.3 氧化物薄膜晶体管的发展现状 | 第14-17页 |
| 1.4 薄膜晶体管的工作原理 | 第17-19页 |
| 1.5 薄膜晶体管的主要性能参数 | 第19-21页 |
| 1.6 本文选题意义及研究内容 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-29页 |
| 2 In_2O_3 ：Li薄膜晶体管的制备及其性能研究 | 第29-47页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 In_2O_3：Li薄膜晶体管的制备 | 第29-31页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第31-42页 |
| 2.3.1 退火温度对In_2O_3：Li薄膜晶体管性能的影响 | 第31-35页 |
| 2.3.2 有源层厚度对In_2O_3：Li薄膜晶体管性能的影响 | 第35-39页 |
| 2.3.3 氧气流量对In_2O_3：Li薄膜晶体管性能的影响 | 第39-42页 |
| 2.4 本章总结 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 3 In_(0.8)Zn_(0.2)O：Li薄膜晶体管的制备及其性能研究 | 第47-71页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 In_(0.8)Zn_(0.2)O：Li薄膜晶体管的制备 | 第47-48页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第48-67页 |
| 3.3.1 有源层厚度对In_(0.8)Zn_(0.2)O：Li薄膜晶体管的影响 | 第48-51页 |
| 3.3.2 氩气流量对In_(0.8)Zn_(0.2)O：Li薄膜晶体管性能的影响 | 第51-54页 |
| 3.3.3 退火温度对In_(0.8)Zn_(0.2)O：Li薄膜晶体管性能的影响 | 第54-58页 |
| 3.3.4 退火气氛对In_(0.8)Zn_(0.2)O：Li薄膜晶体管的影响 | 第58-64页 |
| 3.3.5 双有源层结构In_(0.8)Zn_(0.2)O：Li TFT的制备与研究 | 第64-67页 |
| 3.4 本章总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 4 In_(0.67)Zn_(0.33)O：Li薄膜晶体管的制备及其性能研究 | 第71-97页 |
| 4.1 引言 | 第71页 |
| 4.2 In_(0.67)Zn_(0.33)O：Li薄膜晶体管的制备 | 第71-72页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第72-92页 |
| 4.3.1 氧气流量对In_(0.67)Zn_(0.33)O：Li薄膜晶体管性能的影响 | 第72-75页 |
| 4.3.2 溅射功率对In_(0.67)Zn_(0.33)O：Li薄膜晶体管性能的影响 | 第75-77页 |
| 4.3.3 有源层厚度对In_(0.67)Zn_(0.33)O：Li薄膜晶体管性能的影响 | 第77-80页 |
| 4.3.4 退火温度对In_(0.67)Zn_(0.33)O：Li薄膜晶体管性能的影响 | 第80-87页 |
| 4.3.5 In_(0.67)Zn_(0.33)O：Li薄膜晶体管的稳定性 | 第87-92页 |
| 4.4 本章总结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-97页 |
| 5 结论 | 第97-99页 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第99-103页 |
| 学位论文数据集 | 第103页 |
