| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| ·印刷电子学简介 | 第9-10页 |
| ·印刷电子技术工艺简介 | 第10-16页 |
| ·凹版印刷 | 第10-11页 |
| ·凸版印刷 | 第11-12页 |
| ·平版印刷 | 第12页 |
| ·丝网印刷 | 第12-13页 |
| ·喷墨打印 | 第13-15页 |
| ·气流喷印 | 第15-16页 |
| ·印刷薄膜晶体管简介 | 第16-19页 |
| ·薄膜晶体管的结构 | 第17-18页 |
| ·薄膜晶体管的工作原理 | 第18页 |
| ·薄膜晶体管的主要参数 | 第18-19页 |
| ·单壁碳纳米管的简介 | 第19-24页 |
| ·单壁碳纳米管的结构和性能 | 第19-21页 |
| ·单壁碳纳米管的制备与分离 | 第21-24页 |
| ·本文主要研究内容和工作 | 第24-25页 |
| 第二章 半导体性碳纳米管墨水的制备 | 第25-35页 |
| ·实验 | 第25-26页 |
| ·实验药品与仪器 | 第25页 |
| ·实验过程与表征 | 第25-26页 |
| ·不同溶剂的选择对分离效果的影响 | 第26-28页 |
| ·碳纳米管与聚合物不同质量比对分离效果的影响 | 第28-30页 |
| ·不同的超声时间对分离效果的影响 | 第30页 |
| ·不同的离心转速和时间对分离效果的影响 | 第30-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 刚性Si/SiO_2衬底上CNT-TFT的制备与电学性能的研究 | 第35-50页 |
| ·底栅型结构CNT-TFT器件的制备及表征 | 第35-45页 |
| ·衬底和电极的制备 | 第35-38页 |
| ·半导体层的制备 | 第38-39页 |
| ·底栅型结构的CNT-TFT性能表征 | 第39-45页 |
| ·顶栅型结构CNT-TFT器件的制备 | 第45-49页 |
| ·介电层的制备 | 第46-47页 |
| ·顶栅电极的制备 | 第47页 |
| ·顶栅型结构的CNT-TFT性能表征 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 柔性PET衬底上CNT-TFT的制备与电学性能的研究 | 第50-56页 |
| ·柔性CNT-TFT的制备 | 第50-51页 |
| ·衬底和电极的制备 | 第50页 |
| ·半导体层的制备 | 第50页 |
| ·介电层的制备 | 第50-51页 |
| ·栅电极的制备 | 第51页 |
| ·柔性CNT-TFT的表征 | 第51-55页 |
| ·CNT沟道的AFM形貌表征 | 第51-52页 |
| ·介电层的表征 | 第52-53页 |
| ·电学性能的表征 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 印刷逻辑电路的构建 | 第56-63页 |
| ·刚性衬底上印刷逻辑电路的构建 | 第56-59页 |
| ·反相器 | 第56-58页 |
| ·与非门和或非门 | 第58-59页 |
| ·柔性衬底上印刷逻辑电路的构建 | 第59-62页 |
| ·反相器 | 第59-60页 |
| ·环形振荡器 | 第60-61页 |
| ·或非门 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结和展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 附录A 附录内容名称 | 第68-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |