| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 氧化物TFT简要发展史 | 第10-11页 |
| 1.3 栅绝缘层的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3.1 栅绝缘层对TFT性能的影响 | 第11-12页 |
| 1.3.2 TFT对栅绝缘层的要求 | 第12页 |
| 1.3.3 栅绝缘层研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 阳极氧化原理概述 | 第15-18页 |
| 2.1 MgAl_2O_4简介 | 第15-16页 |
| 2.2 阳极氧化原理简介 | 第16-18页 |
| 2.2.1 高电场传导理论 | 第16-17页 |
| 2.2.2 阴阳离子的移动 | 第17-18页 |
| 第3章 实验方法与步骤 | 第18-30页 |
| 3.1 实验设备简介 | 第18-20页 |
| 3.1.1 电子束蒸发平台 | 第18-19页 |
| 3.1.2 磁控溅射 | 第19-20页 |
| 3.1.3 Keithley 2400 测试平台 | 第20页 |
| 3.2 测试设备简介 | 第20-23页 |
| 3.2.1 台阶轮廓测试仪 | 第20-21页 |
| 3.2.3 扫描电子显微镜（SEM）及能量色散光谱仪（EDS） | 第21页 |
| 3.2.4 原子力显微镜（AFM） | 第21-22页 |
| 3.2.5 X射线衍射分析仪（XRD） | 第22-23页 |
| 3.3 实验流程 | 第23-30页 |
| 3.3.1 实验流程设计 | 第23-24页 |
| 3.3.2 靶材准备 | 第24页 |
| 3.3.3 基板的清洗 | 第24页 |
| 3.3.4 薄膜制备 | 第24-25页 |
| 3.3.5 阳极氧化 | 第25-27页 |
| 3.3.6 TFT器件制备及电学性能测试 | 第27-30页 |
| 第4章 结果与讨论 | 第30-72页 |
| 4.1 合金薄膜的蒸镀 | 第30-40页 |
| 4.1.1 不同蒸镀方式对薄膜成分比例的影响 | 第30-33页 |
| 4.1.2 工艺参数对双源电子束蒸发成膜质量的影响 | 第33-40页 |
| 4.2 合金薄膜的阳极氧化 | 第40-59页 |
| 4.2.1 实验方法可行性验证 | 第40-41页 |
| 4.2.2 不同恒定电流对阳极氧化薄膜的影响 | 第41-45页 |
| 4.2.3 不同恒定电压对阳极氧化薄膜的影响 | 第45-51页 |
| 4.2.4 不同恒压时长对阳极氧化薄膜的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.5 合金薄膜阳极氧化前后对比及退火对氧化膜的影响 | 第52-59页 |
| 4.3 阳极氧化薄膜的绝缘特性 | 第59-70页 |
| 4.4 TFT器件性能表征 | 第70-72页 |
| 第5章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
