| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·透明氧化物半导体薄膜晶体管 | 第9-12页 |
| ·透明氧化物半导体的概念和特点 | 第9-11页 |
| ·透明氧化物半导体的研究进展 | 第11-12页 |
| ·非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO) | 第12-15页 |
| ·IGZO材料简介 | 第12-13页 |
| ·a-IGZO薄膜的电子输运特性 | 第13-14页 |
| ·a-IGZO薄膜及组成元素的影响 | 第14-15页 |
| ·a-IGZO TFT的研究现状与发展前景 | 第15-17页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章a-IGZO薄膜晶体管的结构与工作原理 | 第18-33页 |
| ·a-IGZO薄膜晶体管的结构 | 第18-22页 |
| ·a-IGZO薄膜晶体管的结构种类 | 第18-20页 |
| ·底栅顶接触结构的优点 | 第20-22页 |
| ·a-IGZO薄膜晶体管的工作原理 | 第22-25页 |
| ·a-IGZO TFT与MOSFET结构的异同点 | 第22-23页 |
| ·a-IGZO薄膜晶体管的工作原理 | 第23-25页 |
| ·a-IGZO薄膜晶体管的主要性能参数 | 第25-29页 |
| ·SILVACO仿真软件介绍及参数提取 | 第29-32页 |
| ·SILVACO软件组件介绍 | 第29-32页 |
| ·a-IGZO TFT性能参数提取 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 缺陷态对a-IGZO薄膜晶体管的影响 | 第33-47页 |
| ·a-IGZO态密度模型 | 第33-37页 |
| ·非晶薄膜晶体管的建模进展 | 第33-34页 |
| ·a-IGZO薄膜晶体管的态密度 | 第34-35页 |
| ·a-IGZO薄膜晶体管的陷阱态模型 | 第35-37页 |
| ·带尾态缺陷对a-IGZO薄膜晶体管的影响 | 第37-41页 |
| ·深能级缺陷对a-IGZO薄膜晶体管的影响 | 第41-45页 |
| ·界面电荷对a-IGZO薄膜晶体管的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 a-IGZO薄膜晶体管的结构优化 | 第47-59页 |
| ·SiO_2作为栅介质层的局限性 | 第47-48页 |
| ·高K介质材料 | 第48-50页 |
| ·高K介质材料的性能要求 | 第48-49页 |
| ·几种常用的高K介质材料介绍 | 第49-50页 |
| ·不同栅介质材料对a-IGZO TFT性能的影响 | 第50-53页 |
| ·材料介电常数对薄膜晶体管性能的影响 | 第50-51页 |
| ·高K材料厚度的优化 | 第51-53页 |
| ·不同有源层厚度对a-IGZO TFT性能的影响 | 第53-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 双栅a-IGZO薄膜晶体管性能分析与工艺设计 | 第59-69页 |
| ·双栅a-IGZO TFT结构简介 | 第59-60页 |
| ·双栅a-IGZO TFT不同工作方式比较 | 第60-61页 |
| ·双栅a-IGZO TFT连接方式 | 第60-61页 |
| ·双栅a-IGZO TFT工作方式比较 | 第61页 |
| ·双栅a-IGZO TFT性能分析 | 第61-65页 |
| ·单栅a-IGZO TFT与双栅a-IGZO TFT性能曲线比较 | 第61-63页 |
| ·不同沟道长度对器件性能的影响 | 第63-65页 |
| ·双栅a-IGZO TFT的工艺设计 | 第65-68页 |
| ·双栅a-IGZO TFT衬底制备 | 第66页 |
| ·双栅a-IGZO TFT底栅及底栅介质层制备 | 第66-67页 |
| ·双栅a-IGZO TFT有源层制备 | 第67页 |
| ·制备双栅a-IGZO TFT的源漏电极 | 第67-68页 |
| ·制备双栅a-IGZO TFT顶栅介质层及顶栅 | 第68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| ·总结 | 第69-70页 |
| ·展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |