| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究的背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 OTFT目前存在的问题 | 第12-14页 |
| 1.3.1 载流子传输理论模型有待完善 | 第13页 |
| 1.3.2 有机场效应晶体管绝缘层性能有待提高 | 第13页 |
| 1.3.3 有机场效应晶体管表界面的形貌不稳定 | 第13页 |
| 1.3.4 金属与半导体存在肖特基接触 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的组织结构 | 第14-16页 |
| 第2章 OTFT的结构、工作原理和性能指标 | 第16-25页 |
| 2.1 OTFT工作原理 | 第16-18页 |
| 2.2 OTFT的常见结构 | 第18-19页 |
| 2.3 OTFT的基本参数 | 第19-22页 |
| 2.4 OTFT材料的选取 | 第22-24页 |
| 2.4.1 半导体层材料 | 第22-23页 |
| 2.4.2 电极材料 | 第23-24页 |
| 2.4.3 衬底材料和绝缘层 | 第24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 OTFT的制备和测试 | 第25-33页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 OTFT的制备所用到的设备 | 第25-28页 |
| 3.3 OTFT的制备过程 | 第28-31页 |
| 3.3.1 硅片的清洗 | 第29页 |
| 3.3.2 硅片OTS处理 | 第29页 |
| 3.3.3 有机层的蒸镀 | 第29-30页 |
| 3.3.4 金属电极的蒸镀 | 第30-31页 |
| 3.4 OTFT的测试 | 第31-33页 |
| 第4章 电极与酞菁铜接触电阻的研究 | 第33-44页 |
| 4.1 引言 | 第33页 |
| 4.2 Ag和Cu电极与酞菁铜接触 | 第33-36页 |
| 4.3 MoO_3对电极的修饰作用 | 第36-38页 |
| 4.3.1 MoO_3电极修饰层的优点 | 第36-37页 |
| 4.3.2 MoO_3电极修饰层的制备 | 第37页 |
| 4.3.3 结果与分析 | 第37-38页 |
| 4.4 MoO_3修饰层对OTFT有机层成膜质量的改善 | 第38-40页 |
| 4.5 MoO_3修饰层对OTFT器件性能的改善 | 第40-43页 |
| 4.6 结果与分析 | 第43页 |
| 4.7 本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 非对称电极结构对OTFT的优化 | 第44-50页 |
| 5.1 引言 | 第44页 |
| 5.2 非对称电极OTFT器件的制备 | 第44-46页 |
| 5.2.1 有机层的蒸镀 | 第44页 |
| 5.2.2 电极的蒸镀 | 第44-46页 |
| 5.3 非对称电极OTFT器件的测试 | 第46-48页 |
| 5.3.1 非对称电极源漏电阻的测量 | 第46页 |
| 5.3.2 非对称电极OTFT转移特性曲线的测量 | 第46-47页 |
| 5.3.3 非对称电极OTFT输出特性曲线的测量 | 第47-48页 |
| 5.4 结果分析 | 第48-49页 |
| 5.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |