Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管制备与研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-17页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 氧化物薄膜制备与薄膜晶体管结构和工作原理 | 第18-30页 |
| 2.1 非晶氧化物薄膜的制备方法 | 第18-21页 |
| 2.1.1 磁控溅射沉积技术 | 第18-19页 |
| 2.1.2 电子束蒸发设备 | 第19-20页 |
| 2.1.3 PECVD设备 | 第20-21页 |
| 2.2 氧化物薄膜晶体管的结构 | 第21-23页 |
| 2.2.1 反交叠型氧化物薄膜晶体管的结构 | 第22-23页 |
| 2.2.2 交叠型氧化物薄膜晶体管的结构 | 第23页 |
| 2.3 氧化物薄膜晶体管的工作原理和性能参数 | 第23-28页 |
| 2.3.1 氧化物薄膜晶体管的工作原理 | 第23-26页 |
| 2.3.2 氧化物薄膜晶体管的主要性能参数 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第3章 不同生长条件对铝锌锡氧薄膜性能的影响 | 第30-51页 |
| 3.1 ATZO氧化物薄膜的制备 | 第30-31页 |
| 3.2.薄膜制备的表征方法 | 第31-33页 |
| 3.2.1 AZTO薄膜透射吸收率测试 | 第31-32页 |
| 3.2.2 霍尔测试 | 第32页 |
| 3.2.3 薄膜XRD测量 | 第32-33页 |
| 3.2.4 扫描电子显微镜和EDX能谱仪测试 | 第33页 |
| 3.3 载流子的传输机制和稀有元素替代理论分析 | 第33-34页 |
| 3.4 氧分压对AZTO薄膜特性的影响 | 第34-39页 |
| 3.5 生长温度对AZTO薄膜特性的影响 | 第39-45页 |
| 3.6 生长压强对AZTO薄膜特性的影响 | 第45-50页 |
| 3.7 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 AZTO薄膜晶体管器件制备与性能分析 | 第51-62页 |
| 4.1 栅极和绝缘层和源漏电极的制备 | 第51-52页 |
| 4.2 AZTO薄膜晶体管的制备工艺 | 第52-54页 |
| 4.3 AZTO薄膜晶体管的测试 | 第54-60页 |
| 4.3.1 有源层厚度对薄膜晶体管的影响 | 第55-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
