| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 第一章 薄膜晶体管和忆阻器件的基础理论及研究进展 | 第12-47页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 InGaZnO薄膜晶体管 | 第13-23页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的发展历程 | 第13-15页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管的结构、工作原理及性能参数 | 第15-17页 |
| 1.2.3 IGZO薄膜晶体管的研究进展 | 第17-23页 |
| 1.3 忆阻器件 | 第23-36页 |
| 1.3.1 阻变式随机存储器件 | 第26-32页 |
| 1.3.2 神经突触仿生器件 | 第32-36页 |
| 1.4 本论文的研究意义和内容 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-47页 |
| 第二章 InGaZnO薄膜晶体管和忆阻器的制备方法和表征手段 | 第47-53页 |
| 2.1 IGZO材料和电极的制备方法 | 第47-48页 |
| 2.2 IGZO晶体管和忆阻器件的常用表征手段 | 第48-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第三章 单层结构InGaZnO薄膜晶体管的研究 | 第53-68页 |
| 3.1 引言 | 第53页 |
| 3.2 IGZO薄膜晶体管的设计与制备 | 第53-55页 |
| 3.3 单层IGZO薄膜晶体管的研究 | 第55-63页 |
| 3.3.1 元素组分对IGZO薄膜晶体管性能的影响 | 第55-57页 |
| 3.3.2 氧分压对IGZO薄膜晶体管性能的影响 | 第57-59页 |
| 3.3.3 衬底温度对IGZO薄膜晶体管性能的影响 | 第59-63页 |
| 3.4 单层结构IGZO薄膜晶体管的性能优化 | 第63-64页 |
| 3.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 第四章 双层结构InGaZnO/InGaZnO:N薄膜晶体管的研究 | 第68-77页 |
| 4.1 引言 | 第68页 |
| 4.2 双层结构IGZO/IGZO:N薄膜晶体管的设计与制备 | 第68-69页 |
| 4.3 IGZO:N薄膜的物性和电学性质 | 第69-71页 |
| 4.4 双层结构IGZO/IGZO:N薄膜晶体管电学性能的研究 | 第71-73页 |
| 4.5 双层结构IGZO/IGZO:N薄膜晶体管在正偏压下稳定性的研究 | 第73-74页 |
| 4.6 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 第五章 双层结构InGaZnO/InGaZnO:N忆阻器件的研究 | 第77-99页 |
| 5.1 引言 | 第77-78页 |
| 5.2 双层结构InGaZnO/InGaZnO:N阻变式随机存储器件(RRAM)的研究 | 第78-87页 |
| 5.2.1 双层结构IGZO/IGZO:N RRAM的设计与制备 | 第78-79页 |
| 5.2.2 双层结构IGZO/IGZO:N RRAM的阻变特性研究 | 第79-83页 |
| 5.2.3 双层结构IGZO/IGZO:N RRAM的机制研究 | 第83-86页 |
| 5.2.4 本节小结 | 第86-87页 |
| 5.3 双层结构InGaZnO/InGaZnO:N神经突触仿生器件的研究 | 第87-94页 |
| 5.3.1 引言 | 第87页 |
| 5.3.2 双层结构IGZO/IGZO:N忆阻器件的制备 | 第87-88页 |
| 5.3.3 双层结构IGZO/IGZO:N忆阻器件的忆阻特性研究 | 第88-90页 |
| 5.3.4 双层结构IGZO/IGZO:N忆阻器件的机制研究 | 第90-92页 |
| 5.3.5 双层结构IGZO/IGZO:N忆阻器件的仿生模拟 | 第92-94页 |
| 5.3.6 本节小结 | 第94页 |
| 5.4 本章总结 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-99页 |
| 第六章 总结与展望 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 在学期间公开发表论文和参加学术会议情况 | 第102页 |
