氧化锌薄膜晶体管的模拟研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·氧化锌材料性质 | 第8-10页 |
| ·薄膜晶体管发展概述 | 第10-12页 |
| ·课题研究意义 | 第12-13页 |
| ·论文工作及内容编排 | 第13-14页 |
| 第二章 ZnO TFT器件及仿真软件介绍 | 第14-26页 |
| ·ZnO薄膜晶体管器件 | 第14-22页 |
| ·ZnO薄膜晶体管常见结构 | 第14-16页 |
| ·ZnO薄膜晶体管工作原理 | 第16-19页 |
| ·ZnO薄膜晶体管特性参数 | 第19-21页 |
| ·ZnO薄膜晶体管的应用 | 第21-22页 |
| ·Silvaco软件介绍 | 第22-26页 |
| ·ATLAS软件基本介绍 | 第22-23页 |
| ·ATLAS中物理方程及基本模型 | 第23-26页 |
| 第三章 ZnO薄膜晶体管模型建立 | 第26-37页 |
| ·ZnO薄膜中晶粒间界 | 第26页 |
| ·ZnO TFT模型的建立 | 第26-28页 |
| ·双栅单介质ZnO TFT | 第28-33页 |
| ·器件结构及仿真参数 | 第28-29页 |
| ·双栅ZnO TFT工作模式 | 第29-32页 |
| ·不同工作模式对比 | 第32-33页 |
| ·各参数对器件性能的影响研究 | 第33-36页 |
| ·带尾态参数对ZnO TFT的影响 | 第33-34页 |
| ·深能级参数对ZnO TFT的影响 | 第34-35页 |
| ·源漏电极位置及厚度对ZnO TFT的影响 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 双栅复合介质ZnO TFT研究 | 第37-50页 |
| ·双栅复合介质结构简介 | 第37-38页 |
| ·DGMI-TFT与DG-TFT性能对比 | 第38-39页 |
| ·DGMI-TFT性能改善机理研究 | 第39-43页 |
| ·沟道中电子浓度分布 | 第39-40页 |
| ·沟道处能带图分析 | 第40-41页 |
| ·晶界势垒高度Vb变化分析 | 第41-42页 |
| ·沟道中电场强度及电势分布 | 第42-43页 |
| ·影响结构性能的参数研究 | 第43-48页 |
| ·高k材料介电常数 | 第43-45页 |
| ·高k材料厚度的影响 | 第45-47页 |
| ·栅调制作用的大小 | 第47-48页 |
| ·晶界势垒Vb与阈值电压的关系 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| ·总结 | 第50-51页 |
| ·展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第57页 |
