| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 IGZO简介 | 第10-11页 |
| 1.2 IGZO TFT应用 | 第11-20页 |
| 1.2.1 a-IGZO TFT在显示器中的应用 | 第11-14页 |
| 1.2.2 a-IGZO TFT在显示器件应用中尚待解决的主要问题 | 第14-17页 |
| 1.2.3 a-IGZO TFT在逻辑电路中的应用 | 第17-19页 |
| 1.2.4 a-IGZO TFT在光电器件中的应用 | 第19-20页 |
| 1.3 基于a-IGZO的异质p-n结研究 | 第20-22页 |
| 1.3.1 p-n结的基本原理 | 第21页 |
| 1.3.2 薄膜p-n结的制备工艺 | 第21页 |
| 1.3.3 基于IGZO的异质结研究现状 | 第21-22页 |
| 1.4 PEDOT简介 | 第22-23页 |
| 1.5 本课题研究的目的和意义 | 第23-25页 |
| 第二章 底栅结构a-IGZO TFT的制备 | 第25-31页 |
| 2.1 TFT的结构分类 | 第25页 |
| 2.2 a-IGZO TFT的制备及表征手段 | 第25-27页 |
| 2.3 底栅结构a-IGZO TFT的制备及表征 | 第27-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 背沟道修饰氧化物的a-IGZO TFT性能研究及其反相器应用 | 第31-46页 |
| 3.1 背沟道修饰NiO的a-IGZO TFT性能研究 | 第31-33页 |
| 3.2 背沟道修饰Al_2O_3的a-IGZO TFT性能研究 | 第33-35页 |
| 3.3 背沟道修饰SnO_x的a-IGZO TFT性能研究及其反相器应用 | 第35-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 ITO/ IGZO/PEDOT:PSS/Ag异质结的制备 | 第46-58页 |
| 4.1 ITO/IGZO/PEDOT:PSS/Ag异质结的结构及制备流程 | 第46-47页 |
| 4.2 ITO/ IGZO/PEDOT:PSS/Ag异质结的表征与分析 | 第47-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 修饰PEDOT:PSS后的a-IGZO TFT光、电耦合信号研究 | 第58-63页 |
| 5.1 a-IGZO TFT背沟道修饰PEDOT:PSS的工艺流程 | 第58-59页 |
| 5.2 a-IGZO TFT背沟道修饰PEDOT:PSS后的光电性能表征 | 第59-60页 |
| 5.3 实验中存在的问题及改进措施 | 第60-62页 |
| 5.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结及展望 | 第63-65页 |
| 6.1 结论 | 第63-64页 |
| 6.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-75页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
