| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-31页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 含氢非晶硅薄膜晶体管技术的发展现状 | 第10-12页 |
| 1.3 低温多晶硅薄膜晶体管技术的发展现状 | 第12-14页 |
| 1.4 非晶IGZO TFT的研究现状与应用前景 | 第14-23页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 基于a-IGZO TFTs增强型饱和负载反相器的研究 | 第31-43页 |
| 2.1 研究背景 | 第31页 |
| 2.2 NMOS逻辑原理和反相器的制备 | 第31-36页 |
| 2.3 非晶IGZO TFT器件的电学特性 | 第36-38页 |
| 2.4 非晶IGZO TFTs基反相器的电压转移特性 | 第38-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第三章 基于a-IGZO TFTs的环形振荡器研究 | 第43-55页 |
| 3.1 研究背景 | 第43-44页 |
| 3.2 七阶环形振荡器电路的制备 | 第44-46页 |
| 3.3 环形振荡器电路的电学性能表征 | 第46-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第四章 结论与展望 | 第55-58页 |
| 4.1 主要结论 | 第55-56页 |
| 4.2 研究展望 | 第56-58页 |
| 发表论文目录 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
