| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 薄膜晶体管的历史及研究进展 | 第10-13页 |
| 1.3 薄膜晶体管的实际应用 | 第13-14页 |
| 1.3.1 薄膜晶体管在LCD中的应用 | 第13-14页 |
| 1.3.2 薄膜晶体管在AMOLED中的应用 | 第14页 |
| 1.4 氧化物薄膜晶体管性能参数及表征 | 第14-16页 |
| 1.4.1 薄膜晶体管的结构与导通机理 | 第14-15页 |
| 1.4.2 薄膜晶体管的性能参数 | 第15-16页 |
| 1.5 选题意义及研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 退火处理对MgInSnO-TFT性能的影响 | 第18-29页 |
| 2.1 器件制备 | 第18-19页 |
| 2.2 实验结果与讨论 | 第19-27页 |
| 2.2.1 退火温度对MgInSnO-TFT性能的影响 | 第19-24页 |
| 2.2.2 退火O_2流量对MgInSnO-TFT性能的影响 | 第24-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 有源层厚度对MgInSnO-TFT性能的影响 | 第29-34页 |
| 3.1 器件制备 | 第29-30页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第30-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 宽长比和器件尺寸对MgInSnO-TFT性能的影响 | 第34-42页 |
| 4.1 器件制备 | 第34-35页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第35-41页 |
| 4.2.1 宽长比对MgInSnO-TFT性能的影响 | 第35-38页 |
| 4.2.2 器件尺寸对MgInSnO-TFT性能的影响 | 第38-41页 |
| 4.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 作者简历 | 第47-49页 |
| 学位论文数据集 | 第49页 |
