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金属氧化物薄膜晶体管器件的稳定性研究

摘要第1-7页
Abstract第7-13页
第一章 绪论第13-25页
   ·引言第13页
   ·薄膜晶体管的概念第13-14页
   ·薄膜晶体管的应用领域第14-17页
     ·TFT 在液晶显示中的应用第14-15页
     ·TFT 在有机发光二极管显示中的应用第15-16页
     ·TFT 在其他显示技术中的应用第16-17页
   ·薄膜晶体管的背板技术第17-20页
     ·硅基 TFT 背板技术第18-19页
     ·有机材料 TFT 背板技术第19页
     ·金属氧化物 TFT 背板技术第19-20页
   ·金属氧化物薄膜晶体管的研究现状第20-23页
   ·本论文工作第23-25页
第二章 金属氧化物薄膜晶体管的器件结构、导电机制、材料制备及器件稳定性第25-40页
   ·引言第25页
   ·金属氧化物薄膜晶体管的器件结构第25-26页
   ·金属氧化物薄膜材料的导电机制第26-28页
   ·金属氧化物薄膜材料的制备方法第28-29页
   ·金属氧化物薄膜晶体管器件稳定性第29-39页
     ·影响 TFT 器件栅偏压稳定性的因素第30-32页
     ·影响 TFT 器件光热稳定性的因素第32-39页
   ·本章小结第39-40页
第三章 阳极氧化铝基栅绝缘层的金属氧化物薄膜晶体管器件性能及器件稳定性第40-59页
   ·引言第40-41页
   ·阳极氧化铝金属氧化物薄膜晶体管器件性能及器件稳定性第41-47页
     ·器件的制备第41-42页
     ·阳极氧化铝金属氧化物薄膜晶体管 NBIS 稳定性问题第42-45页
     ·双层绝缘层对金属氧化物薄膜晶体管 NBIS 稳定性改善第45-46页
     ·本节小结第46-47页
   ·阳极氧化铝基双栅极结构在金属氧化物薄膜晶体管中的应用第47-56页
     ·器件的制备第48页
     ·双栅极 TFT 结构对金属氧化物半导体阈值电压的调控第48-53页
     ·双栅极 TFT 器件对金属氧化物半导体 NBIS 稳定性的改善第53-54页
     ·双栅极 TFT 结构在补偿像素电路中的应用第54-56页
     ·本节小结第56页
   ·掺杂型阳极氧化铝能带修饰对金属氧化物薄膜晶体管 NBIS 稳定性的影响第56-57页
   ·本章小结第57-59页
第四章 有源层退火处理对金属氧化物薄膜晶体管器件性能及器件稳定性的影响第59-73页
   ·引言第59-61页
   ·两步退火法对 TFT 器件性能及器件稳定性的改善第61-70页
     ·器件的制备第61-62页
     ·两步退火法对 TFT 基板均匀性的影响第62-64页
     ·两步退火法对 TFT 器件稳定性的提高第64-69页
     ·本节小结第69-70页
   ·两步退火法中前退火条件对 TFT 器件性能的影响第70-71页
   ·本章小结第71-73页
第五章 钝化层技术对金属氧化物薄膜晶体管器件性能及器件稳定性的影响第73-91页
   ·引言第73页
   ·钝化层材料对 TFT 器件性能的影响第73-80页
     ·有机材料钝化层对 TFT 器件性能的影响第73-75页
     ·无机材料钝化层对 TFT 器件性能的影响第75-80页
   ·二氧化硅沉积温度对 TFT 器件性能及器件稳定性的影响第80-88页
     ·器件的制备第80-81页
     ·二氧化硅沉积温度对 TFT 特性、界面结构及薄膜氧空位的影响第81-86页
     ·二氧化硅沉积温度对 TFT 器件稳定性的影响第86-87页
     ·本节小结第87-88页
   ·二氧化硅的其他沉积条件对 TFT 器件性能的影响第88-89页
   ·本章小结第89-91页
第六章 金属氧化物薄膜晶体管背板技术的下一步研究方向第91-96页
   ·引言第91页
   ·非晶态氧化物半导体材料的设计与开发第91-93页
   ·获得高可靠性的金属氧化物薄膜晶体管第93页
   ·低成本金属氧化物半导体工艺路线的开发第93-94页
   ·高分辨率 AMOLED 显示器件的开发第94-95页
   ·可用于 AMOLED 显示驱动芯片的设计第95-96页
结论第96-98页
参考文献第98-117页
攻读博士学位期间取得的研究成果第117-122页
致谢第122-123页
附件第123页

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