摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-13页 |
第一章 绪论 | 第13-25页 |
·引言 | 第13页 |
·薄膜晶体管的概念 | 第13-14页 |
·薄膜晶体管的应用领域 | 第14-17页 |
·TFT 在液晶显示中的应用 | 第14-15页 |
·TFT 在有机发光二极管显示中的应用 | 第15-16页 |
·TFT 在其他显示技术中的应用 | 第16-17页 |
·薄膜晶体管的背板技术 | 第17-20页 |
·硅基 TFT 背板技术 | 第18-19页 |
·有机材料 TFT 背板技术 | 第19页 |
·金属氧化物 TFT 背板技术 | 第19-20页 |
·金属氧化物薄膜晶体管的研究现状 | 第20-23页 |
·本论文工作 | 第23-25页 |
第二章 金属氧化物薄膜晶体管的器件结构、导电机制、材料制备及器件稳定性 | 第25-40页 |
·引言 | 第25页 |
·金属氧化物薄膜晶体管的器件结构 | 第25-26页 |
·金属氧化物薄膜材料的导电机制 | 第26-28页 |
·金属氧化物薄膜材料的制备方法 | 第28-29页 |
·金属氧化物薄膜晶体管器件稳定性 | 第29-39页 |
·影响 TFT 器件栅偏压稳定性的因素 | 第30-32页 |
·影响 TFT 器件光热稳定性的因素 | 第32-39页 |
·本章小结 | 第39-40页 |
第三章 阳极氧化铝基栅绝缘层的金属氧化物薄膜晶体管器件性能及器件稳定性 | 第40-59页 |
·引言 | 第40-41页 |
·阳极氧化铝金属氧化物薄膜晶体管器件性能及器件稳定性 | 第41-47页 |
·器件的制备 | 第41-42页 |
·阳极氧化铝金属氧化物薄膜晶体管 NBIS 稳定性问题 | 第42-45页 |
·双层绝缘层对金属氧化物薄膜晶体管 NBIS 稳定性改善 | 第45-46页 |
·本节小结 | 第46-47页 |
·阳极氧化铝基双栅极结构在金属氧化物薄膜晶体管中的应用 | 第47-56页 |
·器件的制备 | 第48页 |
·双栅极 TFT 结构对金属氧化物半导体阈值电压的调控 | 第48-53页 |
·双栅极 TFT 器件对金属氧化物半导体 NBIS 稳定性的改善 | 第53-54页 |
·双栅极 TFT 结构在补偿像素电路中的应用 | 第54-56页 |
·本节小结 | 第56页 |
·掺杂型阳极氧化铝能带修饰对金属氧化物薄膜晶体管 NBIS 稳定性的影响 | 第56-57页 |
·本章小结 | 第57-59页 |
第四章 有源层退火处理对金属氧化物薄膜晶体管器件性能及器件稳定性的影响 | 第59-73页 |
·引言 | 第59-61页 |
·两步退火法对 TFT 器件性能及器件稳定性的改善 | 第61-70页 |
·器件的制备 | 第61-62页 |
·两步退火法对 TFT 基板均匀性的影响 | 第62-64页 |
·两步退火法对 TFT 器件稳定性的提高 | 第64-69页 |
·本节小结 | 第69-70页 |
·两步退火法中前退火条件对 TFT 器件性能的影响 | 第70-71页 |
·本章小结 | 第71-73页 |
第五章 钝化层技术对金属氧化物薄膜晶体管器件性能及器件稳定性的影响 | 第73-91页 |
·引言 | 第73页 |
·钝化层材料对 TFT 器件性能的影响 | 第73-80页 |
·有机材料钝化层对 TFT 器件性能的影响 | 第73-75页 |
·无机材料钝化层对 TFT 器件性能的影响 | 第75-80页 |
·二氧化硅沉积温度对 TFT 器件性能及器件稳定性的影响 | 第80-88页 |
·器件的制备 | 第80-81页 |
·二氧化硅沉积温度对 TFT 特性、界面结构及薄膜氧空位的影响 | 第81-86页 |
·二氧化硅沉积温度对 TFT 器件稳定性的影响 | 第86-87页 |
·本节小结 | 第87-88页 |
·二氧化硅的其他沉积条件对 TFT 器件性能的影响 | 第88-89页 |
·本章小结 | 第89-91页 |
第六章 金属氧化物薄膜晶体管背板技术的下一步研究方向 | 第91-96页 |
·引言 | 第91页 |
·非晶态氧化物半导体材料的设计与开发 | 第91-93页 |
·获得高可靠性的金属氧化物薄膜晶体管 | 第93页 |
·低成本金属氧化物半导体工艺路线的开发 | 第93-94页 |
·高分辨率 AMOLED 显示器件的开发 | 第94-95页 |
·可用于 AMOLED 显示驱动芯片的设计 | 第95-96页 |
结论 | 第96-98页 |
参考文献 | 第98-117页 |
攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第117-122页 |
致谢 | 第122-123页 |
附件 | 第123页 |