| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·课题研究背景 | 第9-11页 |
| ·非晶氧化物半导体薄膜晶体管(AOS-TFTs)研究现状 | 第11-14页 |
| ·非晶铟锡锌氧化物薄膜晶体管(a-ITZO TFTs)研究现状 | 第14-16页 |
| ·本论文的主要内容 | 第16-18页 |
| 2 薄膜晶体管的工作原理与薄膜生长机理 | 第18-33页 |
| ·薄膜晶体管(TFTs)的结构 | 第18-19页 |
| ·薄膜晶体管(TFTs)的工作原理及主要性能参数 | 第19-24页 |
| ·薄膜晶体管(TFTs)的工作原理 | 第19-21页 |
| ·薄膜晶体管(TFTs)的主要性能参数 | 第21-24页 |
| ·薄膜的生长机理及表征方法 | 第24-32页 |
| ·薄膜溅射技术 | 第24-28页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第28-29页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 影响 AOS-TFTs 性能优化的因素及制备方式 | 第33-45页 |
| ·影响 AOS-TFTs 性能优化的因素 | 第33-37页 |
| ·器件结构 | 第33-34页 |
| ·有源层组成成分 | 第34-36页 |
| ·栅介质材料和源/漏之间接触电阻 | 第36-37页 |
| ·器件不稳定性的来源 | 第37-40页 |
| ·制备条件变更对 AOS-TFTs 器件性能优化的影响研究 | 第40-44页 |
| ·氧气含量对 AOS-TFTs 器件性能优化的影响研究 | 第40-41页 |
| ·溅射功率对 AOS-TFTs 器件性能优化的影响研究 | 第41-42页 |
| ·沉积气压对 AOS-TFTs 器件性能优化的影响研究 | 第42-43页 |
| ·退火温度对 AOS-TFTs 器件性能优化的影响研究 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 4 a-ITZO TFTs 器件的制备过程及性能测试与分析 | 第45-64页 |
| ·a-ITZO TFTs 的制备过程 | 第45-52页 |
| ·衬底的清洗 | 第46-47页 |
| ·有源层的制备 | 第47-49页 |
| ·热退火过程 | 第49页 |
| ·源/漏电极的制备 | 第49-52页 |
| ·器件性能的测试 | 第52-54页 |
| ·a-ITZO TFTs 器件的测试结果分析 | 第54-63页 |
| ·溅射功率对 a-ITZO TFTs 器件电气性能的影响研究 | 第54-58页 |
| ·溅射功率对 a-ITZO TFTs 器件稳定性的影响研究 | 第58-61页 |
| ·氧气含量对 a-ITZO TFTs 器件电气性能的影响研究 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 5 总结与展望 | 第64-66页 |
| ·总结 | 第64-65页 |
| ·创新点 | 第65页 |
| ·不足与展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
