| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 薄膜晶体管的发展历史 | 第11-12页 |
| 1.2 薄膜晶体管的基本理论 | 第12-15页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的典型结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第13页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管的性能参数分析 | 第13-15页 |
| 1.3 薄膜晶体管的分类 | 第15页 |
| 1.4 薄膜晶体管的应用 | 第15-17页 |
| 1.5 本文的研究背景和研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 氧化物薄膜晶体管的制备工艺和测试技术 | 第18-27页 |
| 2.1 薄膜晶体管衬底的清洗 | 第18-19页 |
| 2.2 薄膜制备技术 | 第19-24页 |
| 2.2.1 化学气相沉积技术 | 第19-21页 |
| 2.2.2 磁控溅射沉积技术 | 第21-23页 |
| 2.2.3 真空热蒸发沉积技术 | 第23页 |
| 2.2.4 溶液法制膜技术 | 第23-24页 |
| 2.3 TFT器件测试技术 | 第24-26页 |
| 2.3.1 半导体参数测试仪 | 第24-25页 |
| 2.3.2 阻抗分析仪 | 第25-26页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第26页 |
| 2.3.4 原子力显微镜(AFM) | 第26页 |
| 2.4 小结 | 第26-27页 |
| 第3章 以纳米SiO_2为栅介质的IZO双电层薄膜晶体管 | 第27-34页 |
| 3.1 以纳米SiO_2为栅介质的IZO双电层薄膜晶体管简介 | 第27页 |
| 3.2 双电层现象原理 | 第27-28页 |
| 3.3 以纳米SiO_2为栅介质的IZO双电层薄膜晶体管制备步骤 | 第28-31页 |
| 3.3.1 清洗导电ITO玻璃衬底 | 第28-29页 |
| 3.3.2 使用PECVD设备沉积纳米SiO_2栅介质 | 第29-30页 |
| 3.3.3 使用一步法磁控溅射生长有源沟道和源漏电极 | 第30-31页 |
| 3.4 以纳米SiO_2为栅介质的IZO双电层薄膜晶体管性能测试 | 第31-33页 |
| 3.4.1 纳米SiO_2双电层栅介质薄膜测试 | 第31页 |
| 3.4.2 以纳米SiO_2为栅介质的IZO双电层薄膜晶体管电学性能表征 | 第31-33页 |
| 3.5 小结 | 第33-34页 |
| 第4章 以鸡蛋清为栅介质的IZO双电层薄膜晶体管 | 第34-40页 |
| 4.1 以鸡蛋清为栅介质的IZO双电层薄膜晶体管简介 | 第34页 |
| 4.2 以鸡蛋清为栅介质的IZO双电层薄膜晶体管制备流程 | 第34-36页 |
| 4.2.1 清洗导电ITO玻璃衬底 | 第34页 |
| 4.2.2 使用旋涂匀胶机旋涂鸡蛋清薄膜 | 第34-35页 |
| 4.2.3 使用一步法磁控溅射生长有源沟道和源漏电极 | 第35-36页 |
| 4.3 以鸡蛋清为栅介质的IZO双电层薄膜晶体管的表征 | 第36-39页 |
| 4.3.1 鸡蛋清栅介质薄膜表征 | 第36-37页 |
| 4.3.2 以鸡蛋清为栅介质的IZO双电层薄膜晶体管电学性能表征 | 第37-39页 |
| 4.4 小结 | 第39-40页 |
| 第5章 以蜂蜡为栅介质的IZO柔性纸张薄膜晶体管 | 第40-49页 |
| 5.1 以蜂蜡为栅介质的IZO柔性纸张薄膜晶体管简介 | 第40页 |
| 5.2 以蜂蜡为栅介质的IZO柔性纸张薄膜晶体管制作流程 | 第40-43页 |
| 5.2.1 使用热蒸发工艺在纸张表面蒸镀银膜 | 第41页 |
| 5.2.2 使用旋涂匀胶机旋涂蜂蜡薄膜 | 第41-42页 |
| 5.2.3 使用一步法磁控溅射生长有源沟道和源漏电极 | 第42-43页 |
| 5.3 以蜂蜡为栅介质的IZO柔性纸张薄膜晶体管的表征 | 第43-48页 |
| 5.3.1 纸张衬底蜂蜡膜栅介质表征 | 第43-45页 |
| 5.3.2 以蜂蜡为栅介质的IZO柔性纸张薄膜晶体管电学性能表征 | 第45-46页 |
| 5.3.3 以蜂蜡为栅介质的IZO柔性纸张薄膜晶体管机械及老化性能表征 | 第46-48页 |
| 5.4 小结 | 第48-49页 |
| 总结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 附录A (攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
