基于溶液法的金属氧化物薄膜晶体管工艺及性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 薄膜晶体管发展历程 | 第10-11页 |
| 1.3 薄膜晶体管种类 | 第11-14页 |
| 1.3.1 非晶硅薄膜晶体管 | 第12页 |
| 1.3.2 多晶硅薄膜晶体管 | 第12-13页 |
| 1.3.3 有机薄膜晶体管 | 第13页 |
| 1.3.4 氧化物薄膜晶体管 | 第13-14页 |
| 1.4 氧化物薄膜晶体管研究现状 | 第14-16页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 薄膜晶体管基础理论 | 第18-27页 |
| 2.1 薄膜晶体管结构与工作原理 | 第18-22页 |
| 2.1.1 薄膜晶体管的基本结构 | 第18-19页 |
| 2.1.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第19-21页 |
| 2.1.3 薄膜晶体管的性能参数 | 第21-22页 |
| 2.2 薄膜晶体管材料 | 第22-25页 |
| 2.2.1 薄膜晶体管绝缘层材料 | 第22-24页 |
| 2.2.2 薄膜晶体管有源层材料 | 第24页 |
| 2.2.3 薄膜晶体管电极材料 | 第24-25页 |
| 2.3 薄膜的表征方法 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 溶液法制备绝缘层的研究 | 第27-46页 |
| 3.1 实验设计 | 第27-28页 |
| 3.2 绝缘层薄膜的制备 | 第28-29页 |
| 3.3 绝缘层表面形貌及晶体结构研究 | 第29-31页 |
| 3.3.1 不同PVP浓度下绝缘层薄膜表面形貌 | 第29-30页 |
| 3.3.2 不同PVP浓度下绝缘层结晶情况 | 第30-31页 |
| 3.4 绝缘层电学性能研究 | 第31-32页 |
| 3.5 TFT器件性能测试 | 第32-38页 |
| 3.5.1 TFT器件的制备 | 第32-33页 |
| 3.5.2 TFT器件的性能测试与研究 | 第33-38页 |
| 3.6 修饰层对绝缘层性能影响的研究 | 第38-45页 |
| 3.6.1 修饰层的制备 | 第38-39页 |
| 3.6.2 修饰层对绝缘层表面形貌的影响 | 第39页 |
| 3.6.3 修饰层对绝缘层电学特性的影响 | 第39-41页 |
| 3.6.4 修饰层对器件性能的影响 | 第41-45页 |
| 3.7 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管的研究 | 第46-56页 |
| 4.1 实验设计 | 第46-47页 |
| 4.2 TFT器件制备 | 第47页 |
| 4.3 退火温度对氧化铟薄膜的影响 | 第47-48页 |
| 4.4 退火温度对器件性能的影响 | 第48-51页 |
| 4.5 基于燃烧合成法低温制备有源层的研究 | 第51-55页 |
| 4.5.1 燃烧合成法低温制备氧化铟有源层 | 第52页 |
| 4.5.2 燃烧合成法制备的有源层的表面形貌研究 | 第52-53页 |
| 4.5.3 燃烧合成法制备的器件性能研究 | 第53-55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 全文总结 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第64-65页 |
