| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·TFT的发展历程 | 第12-15页 |
| ·TFT的工作原理及主要性能参数 | 第15-20页 |
| ·TFT的四种基本结构 | 第15-16页 |
| ·TFT的两种工作模式 | 第16-19页 |
| ·TFT的主要性能参数 | 第19-20页 |
| ·基于各种不同沟道层材料的TFT技术比较 | 第20-22页 |
| ·非晶硅TFT | 第20-21页 |
| ·多晶硅TFT | 第21页 |
| ·有机半导体TFT | 第21页 |
| ·氧化物TFT | 第21-22页 |
| ·ZnO-TFT的研究现状 | 第22-25页 |
| ·本论文的选题依据以及主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 样品的制备仪器以及表征手段 | 第27-34页 |
| ·样品的制备仪器 | 第27-30页 |
| ·磁控溅射镀膜仪 | 第27-28页 |
| ·多层镀膜机 | 第28-29页 |
| ·高温退火设备 | 第29-30页 |
| ·薄膜的表征手段以及器件电学性能测试设备 | 第30-34页 |
| ·台阶仪 | 第30页 |
| ·X射线衍射仪（XRD） | 第30-31页 |
| ·紫外-可见分光光度计（UV） | 第31页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第31页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第31-32页 |
| ·X射线光电子能谱仪 | 第32页 |
| ·霍尔效应测试仪 | 第32页 |
| ·TFT电学性能测试仪 | 第32-34页 |
| 第3章 ZnO-TFT器件的设计与制备 | 第34-38页 |
| ·ZnO-TFT器件的结构设计 | 第34页 |
| ·器件材料的选择 | 第34-35页 |
| ·有源层的制备 | 第35-36页 |
| ·源漏电极的制备 | 第36-37页 |
| ·器件的实物图 | 第37-38页 |
| 第4章 空气退火对ZnO-TFT性能的影响及机理分析 | 第38-52页 |
| ·空气退火对ZnO-TFT性能的影响 | 第38-44页 |
| ·有源层的制备以及退火工艺参数 | 第38-39页 |
| ·实验结果与分析 | 第39-44页 |
| ·空气退火对ZnO薄膜性能的影响 | 第44-51页 |
| ·ZnO薄膜的制备工艺参数 | 第44页 |
| ·实验结果与分析 | 第44-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 不同氧氩比对ZnO-TFT性能的影响 | 第52-58页 |
| ·样品的制备 | 第52页 |
| ·实验结果与分析 | 第52-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第6章 氮气退火对ZnO-TFT性能的影响及机理分析 | 第58-67页 |
| ·氮气退火对ZnO薄膜性能的影响 | 第58-63页 |
| ·氮气退火对ZnO-TFT性能的影响 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第7章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第75-76页 |