| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 氧化物薄膜晶体管简介 | 第13-14页 |
| 1.3 非晶铟镓锌氧化物半导体材料 | 第14-16页 |
| 1.3.1 非晶铟镓锌氧化物半导体材料简介 | 第14-15页 |
| 1.3.2 非晶铟镓锌氧化物半导体材料的性质 | 第15-16页 |
| 1.4 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.5 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的应用 | 第19-21页 |
| 1.5.1 TFT在新型显示器件中的应用 | 第19-20页 |
| 1.5.1.1 TFT在TFT- LCD中的应用 | 第19页 |
| 1.5.1.2 TFT在AMOLED中的应用 | 第19-20页 |
| 1.5.2 TFT在紫外光线传感器领域的应用 | 第20-21页 |
| 1.6 本论文研究的主要内容 | 第21-22页 |
| 第二章 薄膜晶体管的相关理论、制备与表征方法 | 第22-37页 |
| 2.1 a-IGZO TFT的工作原理与结构类型 | 第22-23页 |
| 2.2 薄膜晶体管的主要性能参数 | 第23-26页 |
| 2.2.1 载流子迁移率 | 第24-25页 |
| 2.2.2 阈值电压 | 第25页 |
| 2.2.3 电流开关比 | 第25页 |
| 2.2.4 亚阈值摆幅 | 第25-26页 |
| 2.3 薄膜样品的制备 | 第26-30页 |
| 2.3.1 高真空直流磁控溅射 | 第26-28页 |
| 2.3.1.1 磁控溅射基本原理 | 第26页 |
| 2.3.1.2 磁控溅射设备与技术指标 | 第26-28页 |
| 2.3.2 真空热蒸镀系统 | 第28-29页 |
| 2.3.3 旋转涂布系统 | 第29-30页 |
| 2.4 图形化工艺 | 第30-31页 |
| 2.5 薄膜晶体管的测试手段 | 第31-36页 |
| 2.5.1 电学性能测试 | 第31-33页 |
| 2.5.1.1 四探针法电阻率测试 | 第31-32页 |
| 2.5.1.2 Keithley 4200 SCS电学参数分析仪测试 | 第32-33页 |
| 2.5.2 光学性能测试 | 第33页 |
| 2.5.3 薄膜形貌测试 | 第33-36页 |
| 2.5.3.1 X-ray diffraction测试 | 第33-34页 |
| 2.5.3.2 原子力显微镜测试 | 第34页 |
| 2.5.3.3 扫描电子显微镜测试 | 第34-35页 |
| 2.5.3.4 薄膜厚度测试 | 第35-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 单绝缘层a-IGZO TFT器件的制备与研究 | 第37-59页 |
| 3.1 ITO玻璃基片的切割与清洗 | 第37页 |
| 3.2 ITO玻璃基片的清洗 | 第37页 |
| 3.3 a-IGZO薄膜的磁控溅射制备与测试 | 第37-45页 |
| 3.3.1 不同氧分压下的a-IGZO薄膜制备与测试 | 第38-42页 |
| 3.3.2 不同溅射功率下的a-IGZO薄膜制备与测试 | 第42-44页 |
| 3.3.3 a-IGZO薄膜的结晶性测试 | 第44-45页 |
| 3.3.4 a-IGZO薄膜的制备与研究结论 | 第45页 |
| 3.4 反应磁控溅射氧化铝的制备与分析 | 第45-48页 |
| 3.4.1 Al_2O_3薄膜的制备 | 第45-47页 |
| 3.4.2 Al_2O_3薄膜的微结构分析 | 第47-48页 |
| 3.5 基于单Al_2O_3绝缘层的a-IGZO薄膜晶体管制备与分析 | 第48-52页 |
| 3.5.1 结构设计 | 第48页 |
| 3.5.2 基于反应磁控溅射氧化铝薄膜的a-IGZO薄膜晶体管的制备 | 第48-49页 |
| 3.5.3 基于不同氧分压Al_2O_3绝缘层的TFT器件性能 | 第49-52页 |
| 3.6 溶液法旋涂有机绝缘材料的制备与分析 | 第52-54页 |
| 3.6.1 溶液法制备有机PMMA薄膜 | 第52-53页 |
| 3.6.2 PMMA薄膜的表面形貌分析 | 第53-54页 |
| 3.7 基于旋转涂布法制备有机绝缘层薄膜的a-IGZO薄膜晶体管 | 第54-58页 |
| 3.7.1 基于溶液法PMMA绝缘层的TFT制备 | 第54-55页 |
| 3.7.2 PMMA为绝缘层的a-IGZO TFT器件的性能测试 | 第55-58页 |
| 3.8 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 基于复合绝缘层材料的a-IGZO TFT器件制备与研究 | 第59-70页 |
| 4.1 结构设计 | 第59-60页 |
| 4.2 基于复合绝缘层薄膜的a-IGZO TFT器件的制备流程 | 第60页 |
| 4.3 基于复合绝缘层薄膜的a-IGZO TFT性能研究 | 第60-63页 |
| 4.4 不同溅射功率下复合绝缘层a-IGZO TFT器件的制备与研究 | 第63-66页 |
| 4.5 缓冲层对复合绝缘层a-IGZO TFT器件性能的影响 | 第66-68页 |
| 4.6 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 结论与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 结论 | 第70-71页 |
| 5.2 展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第81-82页 |
