| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·TFT的工作原理、结构和性能参数 | 第11-14页 |
| ·TFT的工作原理 | 第11-12页 |
| ·TFT的结构 | 第12-13页 |
| ·TFT的性能参数 | 第13-14页 |
| ·IGZO TFT的发展、优势和应用 | 第14-19页 |
| ·IGZO TFT的发展 | 第14-17页 |
| ·IGZO TFT的优势 | 第17-18页 |
| ·IGZO TFT的应用 | 第18-19页 |
| ·双电层薄膜晶体管的原理及其发展 | 第19-24页 |
| ·双电层薄膜晶体管的原理 | 第19-20页 |
| ·双电层薄膜晶体管的发展 | 第20-24页 |
| ·阈值电压的调控方法和意义 | 第24-27页 |
| ·阈值电压的调控方法 | 第24-26页 |
| ·阈值电压的调控意义 | 第26-27页 |
| ·本文主要研究内容 | 第27-28页 |
| 第二章 样品的制备与表征方法 | 第28-34页 |
| ·样品的制备 | 第28-31页 |
| ·等离子增强化学气相沉积（PECVD） | 第28页 |
| ·磁控溅射沉积系统 | 第28-30页 |
| ·电子束蒸发沉积系统 | 第30-31页 |
| ·样品的表征方法 | 第31-32页 |
| ·光谱型椭圆偏振仪 | 第31页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第31页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第31-32页 |
| ·X射线光电子能谱（XPS） | 第32页 |
| ·半导体参数测试系统 | 第32页 |
| ·阻抗分析仪 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 SiO_2和Al_2O_3质子导体膜的制备与性能分析 | 第34-44页 |
| ·SiO_2质子导体膜的制备和性能分析 | 第34-36页 |
| ·SiO_2质子导体膜的制备 | 第34页 |
| ·SiO_2质子导体膜的性能分析 | 第34-36页 |
| ·SiO_2质子导体膜的微结构分析 | 第34-35页 |
| ·SiO_2质子导体膜的电容特性和质子导电特性 | 第35-36页 |
| ·Al_2O_3质子导体膜的制备和性能分析 | 第36-40页 |
| ·Al_2O_3质子导体膜的制备 | 第36-37页 |
| ·Al_2O_3质子导体膜的性能分析 | 第37-40页 |
| ·Al_2O_3质子导体膜的微结构及成分分析 | 第37-39页 |
| ·Al_2O_3质子导体膜的电容特性和质子导电特性 | 第39-40页 |
| ·工作气压对Al_2O_3膜电容特性和质子导电特性的影响 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 SiO_2质子导体膜为栅介质的低电压IGZO EDLT及其阈值电压调控 | 第44-54页 |
| ·两步掩膜法制备IGZO EDLT及其阈值电压调控 | 第44-49页 |
| ·IGZO EDLT的制备 | 第44-45页 |
| ·IGZO EDLT的电学性能 | 第45-46页 |
| ·IGZO EDLT的阈值电压调控 | 第46-49页 |
| ·一步掩膜法制备IGZO EDLT及其阈值电压调控 | 第49-53页 |
| ·IGZO EDLT的制备 | 第49-50页 |
| ·IGZO EDLT的光学透射率 | 第50-51页 |
| ·IGZO EDLT的阈值电压调控 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 Al_2O_3质子导体膜为栅介质的低电压IGZO EDLT及其阈值电压调控 | 第54-62页 |
| ·不同工作气压Al_2O_3膜对IGZO EDLT工作电压的影响 | 第54-56页 |
| ·一步掩膜法制备IGZO EDLT及其阈值电压调控 | 第56-59页 |
| ·IGZO EDLT的制备 | 第56页 |
| ·IGZO EDLT的光学透射率 | 第56-58页 |
| ·IGZO EDLT的阈值电压调控 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-72页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
