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薄膜晶体管电流模型的高阶效应研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第11-16页
    1.1 研究的背景和意义第11-12页
    1.2 国内外发展现状第12-14页
        1.2.1 有机TFT的电流模型及温度特性第12-13页
        1.2.2 多晶硅TFT的自热效应第13页
        1.2.3 非晶硅TFT的串联电阻效应和泄漏电流第13-14页
    1.3 本文的主要工作第14-16页
第二章 基于表面势的表征有机TFT温度特性的电流模型第16-28页
    2.1 引言第16页
    2.2 Pao-Sah模型第16-18页
    2.3 扩散和漂移电流第18-20页
    2.4 表面势的解析求解第20-21页
    2.5 模型验证第21-27页
    2.6 本章小结第27-28页
第三章 基于阈值电压的表征多晶硅TFT自热效应的电流模型第28-37页
    3.1 引言第28页
    3.2 基于阈值电压的电流模型第28-29页
    3.3 自热效应第29页
    3.4 表征自热效应的电流模型第29-32页
    3.5 模型验证第32-36页
    3.6 本章小结第36-37页
第四章 非晶硅TFT串联电阻效应和泄漏电流模型第37-45页
    4.1 引言第37页
    4.2 表征串联电阻效应的电流模型第37-39页
    4.3 模型验证第39-42页
    4.4 泄漏电流模型第42页
    4.5 模型验证第42-44页
    4.6 本章小结第44-45页
结论第45-46页
参考文献第46-50页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第50-51页
致谢第51-52页
附件第52页

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