| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 显示技术的发展 | 第8-10页 |
| 1.3 薄膜晶体管的发展 | 第10-11页 |
| 1.4 国内薄膜晶体管的发展情况 | 第11-12页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 双层有源层a-IGZO/a-IZO TFT及仿真环境 | 第13-23页 |
| 2.1 引言 | 第13页 |
| 2.2 非晶氧化物半导体 | 第13-15页 |
| 2.3 非晶铟镓锌氧化物半导体 | 第15-16页 |
| 2.3.1 a-IGZO的电子结构 | 第15-16页 |
| 2.3.2 a-IGZO载流子传输机制 | 第16页 |
| 2.4 非晶铟锌氧化物半导体 | 第16-17页 |
| 2.5 薄膜晶体管 | 第17-19页 |
| 2.5.1 TFT结构 | 第17-18页 |
| 2.5.2 TFT的特性表征 | 第18-19页 |
| 2.6 仿真环境介绍（SILVACO-TCAD） | 第19-22页 |
| 2.6.1 Deckbuild | 第20页 |
| 2.6.2 ATHENA | 第20页 |
| 2.6.3 ATLAS | 第20-21页 |
| 2.6.4 Tonyplot | 第21-22页 |
| 2.7 本章总结 | 第22-23页 |
| 第三章 TFT有源层a-IGZO、a-IZO不同厚度比的仿真 | 第23-31页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 器件结构建模 | 第23页 |
| 3.3 TFT器件的工作原理 | 第23-24页 |
| 3.4 模拟参数设置 | 第24-25页 |
| 3.5 双有源层TFT器件仿真 | 第25-30页 |
| 3.5.1 输出特性曲线 | 第26页 |
| 3.5.2 转移特性曲线 | 第26-27页 |
| 3.5.3 亚阈值摆幅 | 第27-28页 |
| 3.5.4 阈值电压 | 第28-29页 |
| 3.5.5 温度稳定性 | 第29-30页 |
| 3.6 总结 | 第30-31页 |
| 第四章 态密度模型参数对TFT特性的影响 | 第31-47页 |
| 4.1 引言 | 第31页 |
| 4.2 态密度 | 第31-33页 |
| 4.2.1 态密度模型中的相关表达式 | 第32页 |
| 4.2.2 费米能级EF位置 | 第32-33页 |
| 4.3 DOS模型参数设定 | 第33-34页 |
| 4.4 导带尾态 | 第34-38页 |
| 4.4.1 有源层的两种材料的n_(ta)的变化对TFT特性的影响 | 第34-36页 |
| 4.4.2 有源层的两种材料的w_(ta)的变化对TFT特性的影响 | 第36-38页 |
| 4.5 氧空位态 | 第38-45页 |
| 4.5.1 有源层的两种材料的n_(gd)的变化对TFT特性的影响 | 第38-40页 |
| 4.5.2 有源层的两种材料的氧空位缺陷态的λ的变化对TFT特性的影响 | 第40-42页 |
| 4.5.3 有源层的两种材料的σ的变化对TFT特性的影响 | 第42-45页 |
| 4.6 总结 | 第45-47页 |
| 第五章 结论与展望 | 第47-49页 |
| 5.1 结论 | 第47页 |
| 5.2 展望 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第55页 |
