| 摘要 | 第6-8页 |
| abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 有机场效应晶体管的发展现状 | 第14-16页 |
| 1.3 当前存在的主要问题 | 第16-19页 |
| 1.4 本文选题意义及研究的主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 有机场效应管基本原理和相关理论 | 第21-41页 |
| 2.1 OTFTs的基本机构和工作原理 | 第21-26页 |
| 2.1.1 OTFTs的基本结构 | 第21-23页 |
| 2.1.2 OTFTs的工作原理 | 第23-26页 |
| 2.2 OTFTs的重要性能指标 | 第26-32页 |
| 2.2.1 输出特性曲线和转移特性曲线 | 第26-29页 |
| 2.2.2 场效应迁移率 | 第29-30页 |
| 2.2.3 开关电流比 | 第30页 |
| 2.2.4 阈值电压 | 第30-31页 |
| 2.2.5 亚阈值陡度 | 第31-32页 |
| 2.3 载流子注入及相关概念 | 第32-36页 |
| 2.3.1 功函数 | 第32-33页 |
| 2.3.2 能级结构与势垒 | 第33-34页 |
| 2.3.3 电接触与接触电势 | 第34-35页 |
| 2.3.4 载流子注入 | 第35-36页 |
| 2.4 有机场效应晶体管的电荷传输模型 | 第36-41页 |
| 2.4.1 能带传输模型 | 第36-37页 |
| 2.4.2 跃迁传输模型 | 第37-38页 |
| 2.4.3 极化子模型 | 第38页 |
| 2.4.4 多重陷阱捕获和释放模型 | 第38-41页 |
| 第三章 利用碘化亚铜进行OTFTs器件电极/有机半导体层界面修饰的研究 | 第41-60页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 接触电阻构成及计算 | 第42-46页 |
| 3.2.1 接触电阻的组成 | 第42-45页 |
| 3.2.2 接触电阻的提取 | 第45-46页 |
| 3.3 器件的制备 | 第46-48页 |
| 3.4 器件的测量结果与讨论 | 第48-58页 |
| 3.4.1 电学性能表征 | 第48-51页 |
| 3.4.2 有源层表面形貌对接触电阻的影响 | 第51-52页 |
| 3.4.3 能级结构对接触电阻的影响 | 第52-53页 |
| 3.4.4 掺杂效应对接触电阻的影响 | 第53-55页 |
| 3.4.5 不同的并五苯厚度对载流子迁移率的影响 | 第55-57页 |
| 3.4.6 器件稳定性的研究 | 第57-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 基于溶液法制备高性能绝缘层的研究 | 第60-85页 |
| 4.1 引言 | 第60-63页 |
| 4.2 基于热氧化SiO_2与SiO_2/PVP为绝缘栅的OTFTs性能的研究 | 第63-68页 |
| 4.2.1 器件的制备 | 第63-64页 |
| 4.2.2 测量的结果与讨论 | 第64-68页 |
| 4.3 基于Sol gel-SiO_2与Sol gel-SiO_2/PVP为绝缘栅的OTFTs性能的研究 | 第68-82页 |
| 4.3.1 器件的制备 | 第68-70页 |
| 4.3.2 电学性能表征 | 第70-74页 |
| 4.3.3 绝缘层表面形貌对器件性能的影响 | 第74-77页 |
| 4.3.4 绝缘层表面能量态密度（接触角）变化对器件性能的影响 | 第77-79页 |
| 4.3.5 陷阱态密度对器件稳定性的影响 | 第79-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-85页 |
| 第五章 基于有机晶体管的免标签生物传感器的研究 | 第85-98页 |
| 5.1 引言 | 第85-87页 |
| 5.2 器件的制备 | 第87-89页 |
| 5.3 器件的测量结果与讨论 | 第89-96页 |
| 5.3.1 DNA分子的表面固化对器件性能的影响 | 第89-93页 |
| 5.3.2 DNA分子的表面杂化对器件性能的影响 | 第93-94页 |
| 5.3.3 DNA探针浓度的变化对传感器灵敏度的影响 | 第94-96页 |
| 5.4 本章小结 | 第96-98页 |
| 第六章 结论与展望 | 第98-101页 |
| 6.1 结论 | 第98-100页 |
| 6.2 展望 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-116页 |
| 作者在攻读博士学位期间参与的项目 | 第116页 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117页 |
