| 摘要 | 第6-10页 |
| ABSTRACT | 第10-15页 |
| 第一章 绪论 | 第19-53页 |
| 1.1 引言 | 第19-22页 |
| 1.2 N-type氧化物 | 第22-26页 |
| 1.2.1 二元氧化物 | 第22-24页 |
| 1.2.2 多元氧化物 | 第24-26页 |
| 1.3 P-type氧化物 | 第26-33页 |
| 1.3.1 透明、低空穴有效质量p-type氧化物的鉴定和设计原理 | 第26-29页 |
| 1.3.2 Cu基p-type氧化物 | 第29-32页 |
| 1.3.3 其它p-type氧化物 | 第32-33页 |
| 1.4 双极性氧化物半导体 | 第33-43页 |
| 1.4.1 氧化物半导体的掺杂准则 | 第33-38页 |
| 1.4.2 双极性CuInO_2 | 第38-39页 |
| 1.4.3 双极性LaMnPO | 第39-40页 |
| 1.4.4 双极性SnO | 第40-43页 |
| 1.5 薄膜晶体管和双极性薄膜晶体管 | 第43-48页 |
| 1.5.1 薄膜晶体管 | 第43-47页 |
| 1.5.2 双极性薄膜晶体管 | 第47-48页 |
| 1.6 基于薄膜晶体管的逻辑电路 | 第48-51页 |
| 1.7 本论文的研究意义以及章节安排 | 第51-53页 |
| 第二章 薄膜、器件制备和表征 | 第53-62页 |
| 2.1 薄膜制备 | 第53-56页 |
| 2.1.1 SnO薄膜的制备 | 第53-54页 |
| 2.1.2 SnO薄膜的退火处理 | 第54-55页 |
| 2.1.3 介质薄膜的制备 | 第55页 |
| 2.1.4 金属薄膜的制备 | 第55-56页 |
| 2.2 器件制备 | 第56-58页 |
| 2.2.1 MIM、MIS电容器的制备 | 第56页 |
| 2.2.2 薄膜晶体管的制备 | 第56-57页 |
| 2.2.3 双极性反相器的制备 | 第57-58页 |
| 2.3 薄膜表征 | 第58-60页 |
| 2.3.1 薄膜的光学性能表征 | 第58页 |
| 2.3.2 薄膜的电学性能表征 | 第58-59页 |
| 2.3.3 薄膜的微结构表征 | 第59页 |
| 2.3.4 薄膜的化学成分表征 | 第59-60页 |
| 2.4 器件表征 | 第60-62页 |
| 第三章 SnO_x薄膜的微结构、光学以及电学性能 | 第62-84页 |
| 3.1 直流溅射沉积的SnO_x薄膜的性能 | 第62-66页 |
| 3.2 射频溅射沉积的SnO_x薄膜的工艺条件及其性能 | 第66-82页 |
| 3.2.1 溅射功率对SnO_x薄膜的性能影响 | 第66-76页 |
| 3.2.2 工作气压对SnO薄膜的性能影响 | 第76-77页 |
| 3.2.3 原位施加衬底偏压对SnO薄膜的性能影响 | 第77-81页 |
| 3.2.4 原位衬底加温对SnO薄膜的性能影响 | 第81-82页 |
| 3.3 本章小结 | 第82-84页 |
| 第四章 介质薄膜的光学性能 | 第84-87页 |
| 4.1 介质薄膜的光学性能以及化学键态分析 | 第84-86页 |
| 4.2 本章小结 | 第86-87页 |
| 第五章 单极p-type SnO薄膜晶体管 | 第87-110页 |
| 5.1 直流溅射制备的SnO TFT | 第87-89页 |
| 5.2 射频溅射制备的SnO TFT | 第89-108页 |
| 5.2.1 溅射功率对SnO TFT的性能影响 | 第89-93页 |
| 5.2.2 降低退火温度对SnO TFT的性能影响 | 第93-95页 |
| 5.2.3 沉积氧分压对SnO TFT的性能影响 | 第95-96页 |
| 5.2.4 沟道层厚度对SnO TFT的性能影响 | 第96-98页 |
| 5.2.5 退火持续时间对SnO TFT的性能影响 | 第98-103页 |
| 5.2.6 原位施加衬底偏压对SnO TFT的性能影响 | 第103-105页 |
| 5.2.7 源漏金属半导体接触对SnO TFT的性能影响 | 第105-108页 |
| 5.3 本章小结 | 第108-110页 |
| 第六章 双极性SnO薄膜晶体管 | 第110-141页 |
| 6.1 双极性薄膜晶体管的工作原理以及半导体材料选择 | 第110-111页 |
| 6.2 SnO TFT实现双极性输运的关键制程工艺 | 第111-118页 |
| 6.3 SnO TFT的双极性输运机制 | 第118-131页 |
| 6.3.1 双极性输运与次能隙态密度 | 第118-121页 |
| 6.3.2 钝化层的作用 | 第121-127页 |
| 6.3.3 双极性输运与SnO沟道层本征空穴浓度 | 第127-131页 |
| 6.4 金属-半导体接触对电子和空穴注入的影响 | 第131页 |
| 6.5 沟道层厚度对双极性工作性能的影响 | 第131-133页 |
| 6.6 钝化层材料对双极性工作性能的影响 | 第133-134页 |
| 6.7 双极性SnO TFT的电应力稳定性 | 第134-139页 |
| 6.8 本章小结 | 第139-141页 |
| 第七章 双极性SnO逻辑反相器 | 第141-148页 |
| 7.1 双极性SnO逻辑反相器的构筑与性能 | 第141-145页 |
| 7.2 反相器在空气环境下的稳定性 | 第145-146页 |
| 7.3 本章小结 | 第146-148页 |
| 第八章 结论与展望 | 第148-150页 |
| 8.1 结论 | 第148-149页 |
| 8.2 展望 | 第149-150页 |
| 参考文献 | 第150-160页 |
| 作者简介及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第160-162页 |
| 致谢 | 第162页 |
